Продукція > SCT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT4026DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.63 грн
30+893.54 грн
60+830.31 грн
120+729.34 грн
510+700.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1377.16 грн
30+1089.93 грн
120+954.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 61A SIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1426.54 грн
10+982.05 грн
50+815.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1721.26 грн
10+1198.75 грн
100+974.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 54A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DTWHRTCRROHMDescription: ROHM - SCT4026DTWHRTCR - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 750 V, 0.034 ohm, TSC3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 163W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSC3PAK
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.89 грн
10+985.37 грн
50+888.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.78 грн
10+827.39 грн
50+718.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.99 грн
10+754.41 грн
100+636.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1163.96 грн
10+793.05 грн
50+682.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4027KTWHRTCRROHMDescription: ROHM - SCT4027KTWHRTCR - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TSC3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSC3PAK
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4027KTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 54A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT403DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL .040" WITH 3" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.12 грн
30+556.96 грн
120+477.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.90 грн
30+575.55 грн
60+531.34 грн
120+463.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 46A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+559.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 46A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1133.40 грн
10+770.94 грн
50+659.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 46A SIC
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+379.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.25 грн
10+561.56 грн
50+455.94 грн
100+419.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.65 грн
10+547.90 грн
50+444.36 грн
100+406.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+367.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2463.33 грн
8+2003.66 грн
10+1921.16 грн
50+1557.05 грн
100+1304.91 грн
200+1222.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1779.70 грн
50+1335.24 грн
250+1330.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1779.70 грн
50+1335.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.44 грн
30+905.74 грн
60+841.84 грн
120+739.62 грн
510+712.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1447.71 грн
10+998.43 грн
50+829.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.79 грн
10+1054.81 грн
50+875.91 грн
450+727.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.27 грн
30+894.97 грн
60+832.19 грн
120+731.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KTWHRTCRROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 41A, 9-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.67 грн
10+838.19 грн
50+730.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.66 грн
10+733.73 грн
50+620.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.12 грн
10+680.89 грн
50+555.85 грн
450+428.66 грн
900+404.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+975.85 грн
10+658.02 грн
50+537.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.74 грн
10+668.21 грн
50+553.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 37A SIC
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.28 грн
10+656.06 грн
50+535.60 грн
450+413.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.23 грн
30+582.97 грн
60+538.12 грн
120+469.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.