Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2318DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.63 грн
100+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.80 грн
23+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixN-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318DS-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.17 грн
25+33.65 грн
27+30.56 грн
50+25.59 грн
100+21.04 грн
250+18.81 грн
500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DWFVishay / SiliconixMOSFETs N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING WFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318HDS-T1-GE3VishaySI2318HDS-T1-GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318HDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319-TPMicro Commercial ComponentsP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319AUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+11.00 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319AUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.20 грн
25+42.11 грн
50+34.71 грн
100+25.44 грн
250+20.76 грн
500+18.05 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.53 грн
500+15.46 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.65 грн
689+20.55 грн
715+19.80 грн
1000+18.48 грн
2500+16.60 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 31059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.89 грн
6000+17.24 грн
9000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+11.67 грн
9000+11.14 грн
15000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.41 грн
500+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 44109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
6000+17.56 грн
9000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 267303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.26 грн
21+38.85 грн
100+25.20 грн
500+16.98 грн
1000+14.14 грн
5000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.14 грн
100+21.44 грн
500+15.39 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.33 грн
32+26.09 грн
100+16.18 грн
500+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.28 грн
500+9.74 грн
1000+7.52 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 194600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.47 грн
6000+12.80 грн
9000+12.22 грн
15000+10.86 грн
21000+10.49 грн
30000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.29 грн
500+20.00 грн
1500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.29 грн
50+40.48 грн
100+28.29 грн
500+20.00 грн
1500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 194962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.23 грн
100+23.45 грн
500+16.85 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 23261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DSVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
на замовлення 27774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.12 грн
100+30.24 грн
500+21.98 грн
1000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.04 грн
500+27.25 грн
1500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
50+58.20 грн
100+38.04 грн
500+27.25 грн
1500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 117185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 615338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2320DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.76 грн
500+8.91 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 19705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.04 грн
100+11.40 грн
500+7.98 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.76 грн
41+20.16 грн
100+12.76 грн
500+8.91 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
6000+5.77 грн
9000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321DS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2323DDS-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.18 грн
31+24.68 грн
50+23.55 грн
100+21.58 грн
250+20.50 грн
500+20.29 грн
1000+20.07 грн
3000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+24.17 грн
592+23.92 грн
598+23.67 грн
1000+22.58 грн
3000+20.68 грн
6000+19.64 грн
15000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.83 грн
100+8.02 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2321K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
6000+11.47 грн
9000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.80 грн
6000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
6000+11.47 грн
9000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.6A
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.29 грн
100+29.69 грн
500+21.58 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
12+36.23 грн
100+25.08 грн
500+20.80 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]