Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiR888DP-T1-E3
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR890DP
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR890DP-T1-E3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N SO-8
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR892DP
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR91-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR91-21C/TR7EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 20°; 875nm; SMD; 20mA; 3mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 3mW/sr
Case - mm: 2520
Case - inch: 1008
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S043NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 5
Frequency: 916.5 MHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency Tolerance: ±100kHz
Height: 0.059" (1.50mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: SAW
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S044NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-150KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±150kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 916.5 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR916M500S045NextGen ComponentsDescription: 916.5MHz SAW Res. +/-200KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±200kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 916.5 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-FEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 40°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Side View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-F
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR928-6C-FEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR9330
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR95-21C/TR10
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.72 грн
10+137.21 грн
100+95.68 грн
500+72.54 грн
1000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 830
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.07 грн
9000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.10 грн
10+106.37 грн
50+80.69 грн
100+67.96 грн
500+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.51 грн
10+120.79 грн
50+92.05 грн
100+77.69 грн
500+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.07 грн
10+78.32 грн
100+58.77 грн
500+43.66 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3VishayMOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DDP-T1-UE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA06DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.25 грн
10+65.06 грн
100+52.17 грн
500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.24 грн
10+69.46 грн
100+51.90 грн
250+46.16 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+75.96 грн
259+54.57 грн
500+37.34 грн
1000+32.53 грн
3000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.68 грн
10+75.96 грн
100+54.57 грн
500+36.01 грн
1000+30.12 грн
3000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3VishayN-Channel 30 V MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3VishayMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.31 грн
15+50.51 грн
25+50.48 грн
50+48.18 грн
100+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.38 грн
7+62.35 грн
10+56.70 грн
100+42.48 грн
250+37.94 грн
500+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.04 грн
10+47.79 грн
100+37.96 грн
500+32.84 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Код товару: 199341
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.44 грн
10+42.40 грн
100+31.03 грн
500+24.82 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3VishayMOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 38W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.41 грн
68+11.18 грн
72+10.57 грн
76+9.60 грн
100+8.34 грн
250+7.48 грн
500+6.95 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]