Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2991UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSTFET N-CH 20V 520MA X2DFN0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 410mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.35 грн
20000+2.05 грн
30000+1.94 грн
50000+1.71 грн
70000+1.64 грн
100000+1.57 грн
250000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7BDiodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 8382964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.60 грн
100+5.31 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.35 грн
20000+2.05 грн
30000+1.94 грн
50000+1.71 грн
70000+1.64 грн
100000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.60 грн
100+5.31 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFZ-7BDiodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3003LCA8-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-TSN6025-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3003LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A X2-TSN6025
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-TSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3005LK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3005LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4342 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3005LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3006SCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519-6 T&R 3K
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3006SCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3006SCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3519
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3006SCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3006SCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3006SCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3519
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET 2.5W 16A 30V
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+59.93 грн
25+50.45 грн
50+41.78 грн
100+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.84 грн
6000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
6000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.27 грн
100+30.30 грн
500+21.98 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.08 грн
4000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.13 грн
4000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 26042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+28.23 грн
100+19.86 грн
500+14.18 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.64 грн
4000+10.56 грн
6000+9.91 грн
10000+8.89 грн
14000+8.80 грн
20000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+36.53 грн
100+24.67 грн
500+18.12 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.67 грн
4000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.25 грн
4000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.59 грн
6000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.25 грн
100+33.74 грн
500+24.58 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.30 грн
4000+29.88 грн
6000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+66.12 грн
100+45.03 грн
500+33.75 грн
1000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
13+32.88 грн
100+22.22 грн
500+16.94 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+40.00 грн
100+26.04 грн
500+18.78 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]