Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CPA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R099CPAAKSA1 - IPP60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXK IPP60R099CP | Infineon | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXK IPP60R125C6XKSA1 | Infineon | MOSFET 600V 30A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO220-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 2703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099CS | INF | 07+; | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 21 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 106 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon | на замовлення 955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ P7 Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 26A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

