Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS6H800NWFT1GON SemiconductorNVMFS6H800NWFT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NWFT1GON SemiconductorNVMFS6H800NWFT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+293.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+295.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+145.15 грн
100+100.68 грн
500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+147.94 грн
100+103.11 грн
500+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.56 грн
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT3GonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT3GonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT3GonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 80V , 157 A, 2.8 mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
10+158.20 грн
100+110.27 грн
500+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT3GonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT3GonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.20 грн
10+226.78 грн
100+175.57 грн
500+129.82 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.23 грн
10+205.23 грн
100+160.49 грн
500+133.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.57 грн
500+129.82 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+146.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.55 грн
10+237.23 грн
100+173.28 грн
500+135.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.59 грн
10+155.25 грн
100+120.30 грн
500+93.59 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GON Semiconductor
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.30 грн
500+93.59 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1GOn SemiconductorSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+157.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GOn Semiconductor5-DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.06 грн
10+186.14 грн
100+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GONN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+185.00 грн
100+130.12 грн
500+100.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NonsemiMOSFETs T8 80V SO8FL NCH STD GATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+164.47 грн
100+115.35 грн
500+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.77 грн
99+143.51 грн
101+141.25 грн
102+134.02 грн
250+122.16 грн
500+115.33 грн
1000+113.39 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.77 грн
10+143.51 грн
25+141.25 грн
100+134.02 грн
250+122.16 грн
500+115.33 грн
1000+113.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; Idm: 722A; 58W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 58W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 23495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+126.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.99 грн
100+106.88 грн
500+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; Idm: 722A; 58W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 58W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.04 грн
500+57.59 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.19 грн
136+104.40 грн
145+97.93 грн
170+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+103.18 грн
100+70.51 грн
500+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.32 грн
10+111.36 грн
100+81.04 грн
500+57.59 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GonsemiMOSFETs T8 80V SO8FL NCH S
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.19 грн
10+104.40 грн
25+97.93 грн
100+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.65 грн
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 626A; 58W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 626A
Power dissipation: 58W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1483500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.23 грн
3000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 169500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 626A; 58W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 626A
Power dissipation: 58W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1483765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.35 грн
100+75.40 грн
500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1GOn SemiconductorMOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.33 грн
100+56.09 грн
500+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NT1GON SemiconductorPower Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]