Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.01 грн
100+193.02 грн
250+191.91 грн
500+149.76 грн
1000+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.50 грн
500+112.46 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+268.24 грн
50+175.57 грн
100+129.24 грн
500+100.39 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+162.20 грн
100+113.32 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.63 грн
100+53.53 грн
500+39.73 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.61 грн
500+44.61 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 3.1W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.104Ω
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 4.2A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.81 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
10+82.10 грн
100+58.61 грн
500+44.61 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 164A
Drain current: 27A
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 132W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
5+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+79.63 грн
100+57.14 грн
500+39.96 грн
1000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
500+84.54 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 25067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
50+109.73 грн
100+100.79 грн
500+84.54 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.09 грн
10+133.31 грн
100+95.10 грн
500+73.06 грн
1000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.18 грн
10+102.63 грн
25+102.42 грн
100+88.15 грн
250+81.31 грн
500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.21 грн
5000+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON Semiconductor
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 160W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+126.05 грн
100+87.06 грн
500+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.21 грн
5000+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.60 грн
500+69.52 грн
1000+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085onsemiMOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.18 грн
138+102.63 грн
139+102.42 грн
155+88.15 грн
250+81.31 грн
500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252onsemi / FairchildMOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 35553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON-SemiconductorN-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.03 грн
6+70.45 грн
10+62.90 грн
50+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+84.75 грн
1250+81.05 грн
1875+80.66 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252
Код товару: 154884
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 46986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.29 грн
100+63.18 грн
500+47.19 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.83 грн
14+57.97 грн
25+57.39 грн
100+54.60 грн
250+49.86 грн
500+47.22 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
50+69.25 грн
100+52.92 грн
500+39.93 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252onsemiMOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 23898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+57.97 грн
247+57.39 грн
250+56.62 грн
254+53.85 грн
500+49.18 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.43 грн
5000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.92 грн
500+39.93 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+123.78 грн
100+85.40 грн
500+64.69 грн
1000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326Fairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
10+132.77 грн
100+91.67 грн
500+69.54 грн
1000+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.52 грн
5000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367onsemiMOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.08 грн
250+148.65 грн
500+146.42 грн
1000+135.85 грн
2500+122.81 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 669 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+114.06 грн
100+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+132.49 грн
100+97.54 грн
500+73.37 грн
1000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085onsemiMOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.58 грн
100+90.05 грн
500+68.27 грн
1000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.54 грн
500+73.37 грн
1000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.36 грн
5000+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.49 грн
1000+88.97 грн
10000+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86369 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.27 грн
100+72.49 грн
500+54.47 грн
1000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.26 грн
100+63.70 грн
500+60.25 грн
1000+54.89 грн
2500+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemi / FairchildMOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.91 грн
5000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]