Продукція > FDP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP030N06B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.14 грн
2400+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+253.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.17 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+318.23 грн
500+301.73 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.80 грн
10+282.52 грн
50+223.82 грн
100+192.34 грн
500+163.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+318.23 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+273.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08Bonsemi FET 80V 3.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 111nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 211A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONS/FAITrans MOSFET N-CH Si 80V TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
10+276.02 грн
50+218.53 грн
100+187.71 грн
500+159.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiMOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+257.22 грн
100+253.26 грн
500+239.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+237.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+464.27 грн
100+397.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.98 грн
10+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 214A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.49 грн
10+286.82 грн
50+271.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.22 грн
100+253.26 грн
500+239.69 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0
Код товару: 51728
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.72 грн
50+162.08 грн
100+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+156.80 грн
100+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
50+156.10 грн
100+141.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemiMOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.80 грн
100+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+188.48 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+318.22 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.14 грн
10+256.19 грн
25+218.85 грн
100+208.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.24 грн
10+400.56 грн
100+295.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+144.61 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+114.95 грн
50+87.54 грн
100+73.84 грн
500+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AFAIRCHILDFDP045N10A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.76 грн
100+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+208.76 грн
100+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
10+221.76 грн
50+173.99 грн
100+148.86 грн
500+123.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.88 грн
10+201.23 грн
50+156.87 грн
100+133.83 грн
500+110.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+174.44 грн
1000+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiMOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0
Код товару: 119329
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+174.44 грн
1000+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemi / FairchildMOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0_NL
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
50+143.68 грн
100+130.49 грн
500+100.77 грн
1000+93.81 грн
2000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ON SemiconductorFDP047N08-F10
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.