Продукція > IDD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDD09E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 19.3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09E60BUMA1 - IDD09E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 9A Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10-12D1U | Chinfa | DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 12, Uвих2, В = -12, Pвих, Вт = 10, Uвх (max), В = 18, Uвх (min), В = 9, Iвих1, А = 0,42, Iвих2, А = 0,42, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 88, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2, Рів. пульс., мВ = кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15E60 | на замовлення 958 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 29.2A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | на замовлення 14802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA2 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA3 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA3 - IDD15E60 FAST SWITCHING EMITTER CONTROL tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 15A | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Bulk | на замовлення 4628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD04G65C6XTMA1 - IDDD04G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 4628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes Y | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 18A Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon | SIC DIODES, HDSOP-10 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Leakage current: 1µA Power dissipation: 105W Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 8415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 43A Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 16A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 1.6µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 141W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 51A | на замовлення 4443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 2µA Power dissipation: 169W Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Current - Average Rectified (Io): 51A Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD371AA-M04 | на замовлення 10193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS244ASJ | 98 SOP | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74ALS32SJ | 07+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS05SJ | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS132SJ | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS139SJ | 07+ | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS14SJ | 98 SOP | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS157SJ | 07+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

