Продукція > IDH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDH06G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 46µA Power dissipation: 54W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 268 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2 Current - Average Rectified (Io): 16A Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06S60C | Infineon Technologies | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | на замовлення 8468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60C | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 22.8A Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; 76W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 1.6µA Power dissipation: 76W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm | на замовлення 437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 650V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 Код товару: 188944
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220 Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120 | Infineon | SCHOTTKY 1200V 7.5A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7.5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 27 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201 Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

