Продукція > IDH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IDH05SG60CXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 12303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+153.20 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; 62W
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 62W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 6A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.14 грн
28+27.43 грн
29+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.15 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
50+94.24 грн
100+84.97 грн
500+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 46µA
Power dissipation: 54W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.05 грн
50+133.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.44 грн
202+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+163.64 грн
50+126.26 грн
100+107.21 грн
500+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.52 грн
11+71.21 грн
100+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.62 грн
100+153.14 грн
500+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CInfineon TechnologiesDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+156.99 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CInfineon technologies
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.63 грн
10+83.42 грн
25+75.46 грн
50+70.97 грн
100+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.26 грн
10+329.14 грн
25+208.48 грн
50+183.30 грн
100+159.00 грн
250+151.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.89 грн
44+328.79 грн
68+208.27 грн
75+183.11 грн
100+158.84 грн
250+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.63 грн
170+83.42 грн
188+75.46 грн
193+70.97 грн
196+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
50+138.76 грн
100+125.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; 76W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 1.6µA
Power dissipation: 76W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.95 грн
50+211.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: thinQ 5G 650V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.00 грн
81+176.71 грн
100+160.31 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2
Код товару: 188944
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+381.61 грн
39+365.22 грн
50+351.31 грн
100+327.27 грн
250+293.83 грн
500+274.40 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.69 грн
10+191.02 грн
50+189.18 грн
100+168.32 грн
500+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.89 грн
75+189.48 грн
76+187.65 грн
100+166.96 грн
500+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
5+112.38 грн
10+103.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.69 грн
10+195.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
10+203.79 грн
50+158.67 грн
100+135.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S120Rochester Electronics, LLCDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S120InfineonSCHOTTKY 1200V 7.5A TO220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S120AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 27
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S60CInfineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S60CAKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08S60CAKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.64 грн
46+310.08 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.50 грн
10+307.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+241.46 грн
50+189.28 грн
100+161.87 грн
500+134.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+169.42 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.