Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.33 грн
100+90.59 грн
500+68.65 грн
1000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesPower Management Specialised - PMIC IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.00 грн
101+140.42 грн
250+134.79 грн
500+125.28 грн
1000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+97.96 грн
500+88.16 грн
1000+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.01 грн
7500+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+116.57 грн
10+103.15 грн
50+77.16 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+97.96 грн
500+88.16 грн
1000+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 29504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.92 грн
50+92.20 грн
100+77.84 грн
500+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD035N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04L G
Код товару: 166396
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.10 грн
5000+35.00 грн
7500+33.65 грн
12500+30.16 грн
17500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.93 грн
10+99.04 грн
100+75.19 грн
500+58.55 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.41 грн
5000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+153.93 грн
143+99.04 грн
189+75.19 грн
500+58.55 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 37903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+86.95 грн
100+58.23 грн
500+43.09 грн
1000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.41 грн
5000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N04NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N04NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GInfineon TechnologiesDescription: IPD038N06N3G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.93 грн
100+65.38 грн
500+49.08 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.51 грн
10+135.13 грн
25+128.24 грн
100+92.75 грн
500+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 11739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.26 грн
50+87.86 грн
100+74.14 грн
500+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.37 грн
6000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LAP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LBinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD03NLBGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03L G E8177Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesPower-Transistor MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesPower-Transistor MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+41.72 грн
377+37.57 грн
393+36.02 грн
500+32.40 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.69 грн
50+57.61 грн
100+48.28 грн
500+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesPower-Transistor MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.13 грн
18+44.18 грн
25+41.72 грн
100+36.23 грн
250+32.16 грн
500+28.80 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.30 грн
15+51.79 грн
25+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.37 грн
50+61.08 грн
100+51.18 грн
500+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
10+106.95 грн
50+81.20 грн
100+68.42 грн
500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GInfineon technologies
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.17 грн
10+137.84 грн
50+109.03 грн
100+93.77 грн
500+67.56 грн
2500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 15525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 14737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.93 грн
50+75.70 грн
100+63.73 грн
500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.17 грн
103+137.84 грн
130+109.03 грн
146+93.77 грн
500+67.56 грн
2500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.79 грн
7500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28217.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.