Продукція > IPD

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	98.18 грн
500+	88.36 грн
1000+	81.49 грн

Мінімальне замовлення: 361 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.66 грн
10+	97.37 грн
100+	66.19 грн
500+	49.58 грн
1000+	45.55 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	98.18 грн
500+	88.36 грн
1000+	81.49 грн

Мінімальне замовлення: 361 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD035N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 1236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.40 грн
500+	39.11 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.91 грн
5000+	44.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 37903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.35 грн
10+	86.15 грн
100+	57.70 грн
500+	42.69 грн
1000+	39.01 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.39 грн
10+	90.50 грн
100+	52.33 грн
500+	41.42 грн
1000+	36.86 грн
2500+	33.69 грн
5000+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 1236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.51 грн
50+	78.28 грн
100+	53.40 грн
500+	39.11 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.91 грн
5000+	44.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	138.59 грн
150+	95.03 грн
214+	66.49 грн
500+	51.56 грн
1000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 103 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.75 грн
5000+	34.68 грн
7500+	33.34 грн
12500+	29.88 грн
17500+	29.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04N G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.30 грн
10+	104.00 грн
100+	61.16 грн
500+	51.22 грн
1000+	45.08 грн
2500+	41.77 грн
5000+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.84 грн
10+	135.43 грн
25+	128.53 грн
100+	92.96 грн
500+	72.95 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.77 грн
10+	95.05 грн
100+	64.78 грн
500+	48.63 грн
1000+	47.42 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 3814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.95 грн
10+	65.44 грн
100+	43.56 грн
500+	32.06 грн
1000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 3702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.90 грн
10+	64.94 грн
100+	37.55 грн
500+	29.48 грн
1000+	26.92 грн
2000+	23.89 грн
4000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.62 грн
10+	74.39 грн
100+	42.32 грн
500+	33.27 грн
1000+	29.20 грн
2500+	24.78 грн
5000+	22.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.42 грн
10+	56.09 грн
100+	37.06 грн
500+	27.11 грн
1000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	41.82 грн
377+	37.66 грн
393+	36.10 грн
500+	32.47 грн
1000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 339 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.25 грн
18+	44.28 грн
25+	41.82 грн
100+	36.31 грн
250+	32.23 грн
500+	28.86 грн
1000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.64 грн
500+	31.86 грн
1000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.76 грн
10+	79.23 грн
100+	45.15 грн
500+	35.90 грн
2000+	35.83 грн
4000+	24.37 грн
10000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.87 грн
13+	62.98 грн
100+	41.64 грн
500+	31.86 грн
1000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

на замовлення 1740 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	86.80 грн
10+	50.86 грн
100+	34.65 грн
500+	27.92 грн
1000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 2393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.86 грн
10+	59.23 грн
100+	39.26 грн
500+	28.79 грн
1000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	27.18 грн
29+	26.32 грн
100+	24.96 грн
250+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 28 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.65 грн
10+	140.94 грн
100+	96.65 грн
500+	72.84 грн
1000+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.29 грн
10+	113.98 грн
100+	78.32 грн
500+	59.78 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.19 грн
10+	119.88 грн
100+	72.49 грн
500+	58.54 грн
1000+	57.23 грн
2000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.65 грн
500+	72.84 грн
1000+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	54.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3

Infineon

Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3G

Infineon technologies

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.07 грн
50+	124.03 грн
100+	86.98 грн
500+	64.62 грн
1000+	54.88 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.79 грн
5000+	50.24 грн
7500+	48.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.31 грн
5000+	68.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 17998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.45 грн
10+	89.71 грн
25+	74.56 грн
100+	60.54 грн
250+	60.47 грн
500+	51.84 грн
1000+	51.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.31 грн
5000+	68.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.98 грн
500+	64.62 грн
1000+	54.88 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 8991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.61 грн
10+	118.69 грн
100+	80.78 грн
500+	60.60 грн
1000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	195.19 грн
78+	181.93 грн
100+	155.42 грн
200+	142.90 грн
500+	121.56 грн
1000+	98.93 грн
2000+	96.05 грн
2500+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 73 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

MOSFETs P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	336.66 грн
58+	244.52 грн
72+	197.27 грн
100+	187.95 грн
200+	172.97 грн
500+	139.72 грн
1000+	119.48 грн
2000+	115.42 грн

Мінімальне замовлення: 43 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA

на замовлення 1649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.68 грн
10+	135.66 грн
100+	94.21 грн
500+	75.41 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.38 грн
10+	145.28 грн
100+	87.67 грн
500+	75.25 грн
1000+	73.87 грн
2500+	63.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	127.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 65W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.99 грн
10+	48.31 грн
100+	31.79 грн
500+	23.17 грн
1000+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.59 грн
10+	54.70 грн
100+	31.20 грн
500+	24.02 грн
1000+	21.75 грн
2000+	19.19 грн
4000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	109.85 грн
136+	104.93 грн
250+	100.73 грн
500+	93.62 грн
1000+	83.86 грн

Мінімальне замовлення: 130 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

Infineon

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3G

Infineon technologies

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.34 грн
5000+	38.87 грн
7500+	37.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.78 грн
5000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 5144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.92 грн
10+	85.74 грн
100+	50.12 грн
500+	39.69 грн
1000+	36.10 грн
2500+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1