Продукція > IPG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | на замовлення 17995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | на замовлення 6032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG2-0820A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG2-1720A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG2-2020A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Accessory Type: Pipe For Use With/Related Products: Sensor Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG2-2320A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 8102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4-08 | Infineon Technologies | Description: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4-12 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 9036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | на замовлення 12641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 65W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 65W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 65W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 542 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 54W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.7nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | на замовлення 14593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0122 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0122 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 41W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | IPG20N04S418AATMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 26W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L-07 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 3731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L-11 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 10027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L-11A | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 54W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 54W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 26945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 54W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 54W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 26945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |