Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTA110N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA110N055T2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+130.66 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+664.15 грн
50+512.00 грн
100+484.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+431.57 грн
35+413.03 грн
50+397.30 грн
100+370.10 грн
250+332.29 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.55 грн
10+329.89 грн
50+272.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.14 грн
10+289.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.62 грн
5+434.91 грн
10+358.40 грн
50+262.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.73 грн
50+334.93 грн
100+308.37 грн
500+245.79 грн
1000+237.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSMOSFETs IXTA120P065T TRL
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.73 грн
10+366.78 грн
100+265.78 грн
500+260.95 грн
800+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
50+165.83 грн
100+150.99 грн
500+117.30 грн
1000+109.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.81 грн
10+227.05 грн
100+158.09 грн
500+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N70X2IXYSMOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSMOSFETs 130 Amps 65V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.35 грн
50+224.82 грн
100+205.60 грн
500+161.33 грн
1000+151.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA130N10T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.93 грн
50+563.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.55 грн
50+493.46 грн
100+457.06 грн
500+400.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+655.54 грн
100+564.81 грн
250+531.59 грн
500+467.70 грн
1250+420.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.55 грн
10+745.46 грн
50+550.20 грн
100+539.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSMOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+373.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSMOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.19 грн
50+354.83 грн
100+326.83 грн
500+270.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.32 грн
10+540.64 грн
50+325.84 грн
100+299.61 грн
250+293.39 грн
500+289.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -140A
Drain-source voltage: -50V
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 298W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: 15V
Case: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLIXYSDescription: IXTA140P05T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.88 грн
50+233.08 грн
100+213.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+698.28 грн
50+645.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.04 грн
50+525.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.94 грн
50+567.69 грн
100+528.01 грн
500+481.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSMOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1258.84 грн
10+755.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA15N50L2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+532.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15T-A2IXYSMOSFET -150V -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSMOSFETs 160Amps 40V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.69 грн
10+269.92 грн
100+166.37 грн
500+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7IXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+186.26 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7IXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.71 грн
10+272.30 грн
100+158.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXTA16N50P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSMOSFET 170 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO263
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+439.39 грн
10+344.85 грн
25+275.05 грн
50+251.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.26 грн
10+278.66 грн
100+227.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]