Продукція > S3M

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
S3M-AQDiotec SemiconductorDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Strip
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,STD GPP SM RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 489600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+11.01 грн
1700+10.24 грн
4250+10.05 грн
9350+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVISHAYDescription: VISHAY - S3M-E3/57T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: S3M-E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
36+22.63 грн
100+17.64 грн
500+12.12 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1000 Volt
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+12.63 грн
850+11.32 грн
1700+10.01 грн
4250+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 201450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+9.46 грн
1700+9.02 грн
2550+8.76 грн
4250+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.33 грн
26+29.27 грн
100+14.86 грн
500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TDiode rectifying 1000V 3A SMС
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
21+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.51 грн
27+28.48 грн
100+14.25 грн
250+11.55 грн
500+8.42 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO214AB; SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
18+23.60 грн
21+20.19 грн
100+11.63 грн
200+10.47 грн
500+9.47 грн
850+9.14 грн
1700+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1228+11.55 грн
6800+10.56 грн
10200+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 1228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishay3A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; S3M-E3/57T DO214AB-SMC VISHAY rectifier diode DP S3M-E3/57T VISHAY
кількість в упаковці: 850 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
850+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.48 грн
960+14.78 грн
1096+12.94 грн
1444+9.47 грн
1477+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 16518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.60 грн
620+22.87 грн
1000+14.55 грн
3400+12.67 грн
6800+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVISHAYDescription: VISHAY - S3M-E3/57T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: S3M-E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
500+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 201916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+22.88 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 489600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1287+11.02 грн
1700+10.25 грн
4250+10.06 грн
9350+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 1287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishay General Semiconduc3A 1000V DO-214AB Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/7VishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.30 грн
100+15.53 грн
500+13.32 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9AT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9ATVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9AT
Код товару: 123345
Додати до обраних Обраний товар
Vishay/JingdaoДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AB
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,15 V
у наявності: 1678 шт
  • 1541 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5+4.00 грн
10+3.30 грн
100+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 100 Amp IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3/9CT
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-E3\57TVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,STD GPP SMC RECT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-F065Fairchild SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-F065ON SemiconductorS3M_F065
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3100+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-M3/57TVishay SemiconductorsRectifiers 3A 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-M3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,GPP STD, SM Rect
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/GENERAL/SMD/GSM-30H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/GPP/SMD/GSM-30H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - S3M-TP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 100 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 100A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1.2V
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.95 грн
500+8.30 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 1000V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
на замовлення 6749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+18.02 грн
100+9.77 грн
500+7.94 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 1536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - S3M-TP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.76 грн
50+16.19 грн
100+10.95 грн
500+8.30 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M-TR
на замовлення 158800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M/7VishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M/7
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M/7T
на замовлення 38250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1017.49 грн
3+855.06 грн
10+759.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120BSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120DSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1079.23 грн
3+900.77 грн
10+793.57 грн
30+737.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+873.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 732W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 394W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1003.17 грн
3+835.95 грн
10+740.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+533.35 грн
10+444.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0025120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0030120TSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0030120TSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+379.43 грн
3+317.43 грн
10+280.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120DSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 130W
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+568.25 грн
3+476.97 грн
10+420.47 грн
30+377.26 грн
150+363.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120J-ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 223A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120J-ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 223A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.03 грн
3+389.72 грн
10+345.68 грн
30+309.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0040120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.55 грн
10+664.03 грн
100+502.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0080120DSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-16.000-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-16.000-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-25.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+63.19 грн
100+42.96 грн
200+40.81 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-25.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+63.19 грн
100+42.96 грн
200+40.81 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-32.768K-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 3.5mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-32.768K-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 3.5mA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±25ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-50.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+55.73 грн
100+37.88 грн
200+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-50.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+55.73 грн
100+37.88 грн
200+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+62.37 грн
25+59.02 грн
50+53.10 грн
100+50.90 грн
250+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M025T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.95 грн
2000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M05T-25.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+63.19 грн
100+42.96 грн
200+40.81 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M05T-32.768K-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 3.5mA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M05T-32.768K-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 36µA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+60.73 грн
100+41.28 грн
200+39.22 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M05T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+62.37 грн
25+59.02 грн
50+53.10 грн
100+50.90 грн
250+48.13 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M05T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.95 грн
2000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M100K-100K4TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V UPS + INPUT ISOLATI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M100K-100K6TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V 100KVA UPS + 100KVA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M100K100KWR4TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V UPS + INPUT/OUTPUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M100KXDTripp LiteDescription: S3M100KXD
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 37.200" L x 22.320" W (944.88mm x 566.93mm)
Voltage - Output: 380V, 400V, 415V (3-Phase)
Output Connector: Hardwired
Voltage - Input: 220/380VAC, 230/400VAC, 240/415VAC
Type: Online (Double Conversion)
Height: 39.960" (1014.98mm)
Applications: General Purpose, Industrial Control
Power - Rated: 100kVA / 90000W
Media Lines Protected: RS-232
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Form: Tower
Input Connector: Hardwired
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]