Продукція > TK5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 5800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 168W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
10+125.64 грн
100+78.28 грн
500+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
Tape Type: Household
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Packaging: Cardboard Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK57V161610DTC-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK57V161610TC-7
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.63 грн
10+115.91 грн
100+68.90 грн
500+58.47 грн
1000+51.78 грн
2500+49.01 грн
5000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFETs 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+97.65 грн
100+67.58 грн
500+56.82 грн
1000+48.67 грн
2500+46.25 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.39 грн
11+73.69 грн
100+72.24 грн
500+65.66 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
Tape Type: Maintenance Repair
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Packaging: Cardboard Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+111.14 грн
50+61.10 грн
100+47.56 грн
500+35.07 грн
1000+30.17 грн
2500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 135758
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+81.77 грн
100+53.78 грн
500+41.77 грн
1000+35.28 грн
5000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+134.17 грн
100+75.94 грн
500+61.51 грн
1000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5S5VX(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+75.82 грн
100+61.16 грн
500+47.15 грн
1000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.62 грн
12+67.33 грн
100+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
50+63.75 грн
100+49.84 грн
250+43.42 грн
500+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+73.44 грн
100+51.43 грн
500+46.32 грн
1000+35.48 грн
5000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.25 грн
10+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+108.76 грн
100+63.51 грн
500+51.64 грн
1000+46.25 грн
2500+43.22 грн
5000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.64 грн
10+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.36 грн
500+46.67 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
10+95.84 грн
100+64.67 грн
500+44.50 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+96.06 грн
100+56.68 грн
500+45.98 грн
1000+41.21 грн
2000+38.52 грн
4000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.68 грн
100+52.92 грн
500+39.29 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.77 грн
100+54.37 грн
500+40.41 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+139.72 грн
100+92.51 грн
250+91.82 грн
500+72.49 грн
1000+65.03 грн
2000+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.91 грн
96+147.82 грн
97+146.46 грн
122+112.95 грн
250+98.99 грн
500+82.00 грн
1000+70.09 грн
3000+66.75 грн
6000+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+100.66 грн
100+80.10 грн
500+63.60 грн
1000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.91 грн
10+147.82 грн
25+146.46 грн
100+112.95 грн
250+98.99 грн
500+82.00 грн
1000+70.09 грн
3000+66.75 грн
6000+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+239.08 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+71.35 грн
100+55.48 грн
500+44.13 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+74.55 грн
25+60.61 грн
100+45.49 грн
250+45.42 грн
500+36.93 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+75.42 грн
25+61.58 грн
100+46.11 грн
250+45.98 грн
500+37.35 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]