Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.09 грн
357+39.69 грн
431+32.85 грн
435+31.36 грн
502+25.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.89 грн
100+30.12 грн
500+21.90 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3
Код товару: 183755
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
10+42.27 грн
100+27.51 грн
250+23.65 грн
500+21.30 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
6000+16.97 грн
9000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.22 грн
282+50.29 грн
328+43.17 грн
500+37.55 грн
1000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+10.00 грн
9000+9.53 грн
15000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 19767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.06 грн
100+18.67 грн
500+13.32 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 12V 5A
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.34 грн
50+36.82 грн
100+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 6446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.95 грн
100+19.88 грн
500+14.19 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
12+36.06 грн
14+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 41157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
6000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DSTECH PUBLIC20V 6A 20mOhm@4.5V,6A 1.8W 1V SOT-23-3 MOSFETs SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3; SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC TSI2333ds TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DSVISHAY
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1VISHAY
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DS-T1-E3 - P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 E3..VishayP-MOSFET 12V 4.1A 0.75W SI2333DS-T1-E3 TSI2333ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2333DS-T1-GE3 - P CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.9A 1.7W
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335SI
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335DS-T1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335DS-T1-E3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2335DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 91115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
14+22.34 грн
100+18.04 грн
500+15.20 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2336DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.94 грн
6000+10.53 грн
9000+10.04 грн
15000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.12 грн
6000+12.73 грн
9000+12.24 грн
15000+11.56 грн
21000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3
Код товару: 165959
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.77 грн
50+36.58 грн
100+23.74 грн
500+16.68 грн
1500+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 17880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+30.27 грн
100+19.53 грн
500+13.98 грн
1000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.12 грн
6000+12.73 грн
9000+12.24 грн
15000+11.56 грн
21000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.67 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 P CHAN 80V
на замовлення 45044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+54.65 грн
100+42.47 грн
500+33.78 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3Vishay SiliconixP-Channel MOSFET, 270 mOhm 2.2A, 80V, 2.5W SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 20652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.89 грн
100+46.54 грн
500+34.28 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.25 грн
500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.33 грн
6000+27.15 грн
9000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
50+67.63 грн
100+66.25 грн
500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.63 грн
9000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.09 грн
183+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+54.57 грн
100+42.47 грн
500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.37 грн
500+37.44 грн
1500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VishayP-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
50+77.06 грн
100+51.37 грн
500+37.44 грн
1500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.5A
на замовлення 64983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2338DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 15678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 19244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.23 грн
50+37.80 грн
100+24.39 грн
500+17.28 грн
1500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.57 грн
100+21.25 грн
500+15.57 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.31 грн
9000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]