Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.86 грн
10+93.50 грн
100+72.88 грн
500+56.50 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRCOMM2N/A98
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSirettaModules Accessories DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSiretta LtdDescription: DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCR
Accessory Type: DIN Rail
For Use With/Related Products: Zeta Line of IoT Modems
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA MODEM DIN RAIL ADAPTERSiretta DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF-GRF2INA09+
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF3TM8100B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRFGRF2I/LPSTQFP48
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRI-A CA12474 Лінза
Код товару: 52146
Додати до обраних Обраний товар
LEDILСвітлодіоди > Лінзи, тримачі, оправлення для світлодіодів
Опис: Лінза; форма: квадрат; кут:137 °, застосовується для світлодіодів CREE серії XT-E
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x39x75mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 150x40x90mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3223.62 грн
5+2902.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 93%
Application: LED
Maximum power: 165W
Output voltage: 80...235V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 170x40x100mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Maximum power: 165W
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 171x41x101mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Output voltage: 80...235V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 22W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Body dimensions: 123x31x79mm
Operating temperature: -40...55°C
Application: LED
Maximum power: 22W
Output voltage: 8...32V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 85%
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2065.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 22W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 85%
Application: LED
Maximum power: 22W
Output voltage: 8...32V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x40x77mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2726.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 40W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Body dimensions: 123x31x79mm
Operating temperature: -40...55°C
Application: LED
Maximum power: 40W
Output voltage: 20...54V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 88%
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2127.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 40W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 88%
Application: LED
Maximum power: 40W
Output voltage: 20...54V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x40x77mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2726.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 75W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; IP20
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x39x75mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 91.5%
Application: LED
Maximum power: 75W
Output voltage: 35...108V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2601.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 75W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92%
Application: LED
Maximum power: 75W
Output voltage: 35...108V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 150x40x90mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2979.20 грн
5+2682.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiriusLeopard ImagingCameras & Camera Modules Working distance: 0.5-5mResolution: 320x240Color Image: 4KTX2 Edge Computing DeviceAccuracy: +/- 0.3C (0.5F)Option: AWS Support
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius GNSS/INS Rugged - RS232/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - RS232/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius GNSS/INS Rugged - RS422/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - RS422/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius GNSS/INS Rugged-Dev kit-RS422/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - Development Kit - RS422/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius RTK GNSS/INS Rug-DevKit RS422/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius RTK Rugged - Development Kit - RS422/CANProduct description: RTK Development Kit, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius RTK GNSS/INS Rug-DevKit-RS232/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius RTK Rugged - Development Kit - RS232/CANProduct description: RTK Development Kit, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius RTK GNSS/INS Rugged - RS422/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius RTK Rugged - RS422/CANProduct description: RTK, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Sirius RTK GNSS/INS Rugged-RS232/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius RTK Rugged - RS232/CANProduct description: RTK, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIUS-01A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4300DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 90A
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 227A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.20 грн
10+211.21 грн
50+164.46 грн
100+140.21 грн
500+120.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4302DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 478A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.83 грн
10+255.61 грн
100+184.40 грн
500+143.74 грн
1000+135.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 77A
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
на замовлення 9001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.39 грн
10+202.57 грн
50+157.49 грн
100+134.17 грн
500+114.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 198, Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20, Qg, нКл = 588 @ 10 В, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 2,3, Р, Вт = 132, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+213.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 10406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 198A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.59 грн
10+227.78 грн
100+162.00 грн
500+125.68 грн
1000+117.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 58A
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DPVishaySIRS5100DP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5100DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 2500 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.77 грн
10+186.39 грн
100+131.59 грн
500+112.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 241A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100EPW-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5700DP-T1-RE3VishayMOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5702DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS570DPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5800DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 265 A, 1800 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.37 грн
10+182.22 грн
100+128.42 грн
500+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.29 грн
10+107.68 грн
25+98.20 грн
100+82.41 грн
250+77.75 грн
500+74.95 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.22 грн
6000+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
на замовлення 6124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.81 грн
10+225.39 грн
50+175.96 грн
100+150.20 грн
500+131.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.66 грн
10+189.10 грн
25+188.16 грн
50+180.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21