Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3065LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC | на замовлення 23615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3065LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3065LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 5660000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 80166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes | Trans MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 812511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 1302000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC | на замовлення 14083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3066L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066L-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066L-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3066LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 2779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3066LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3066LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323 Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC On-state resistance: 98mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V | на замовлення 45610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1229248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1229248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 Код товару: 184252
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes | N-CH, MOSFET, 30V, 2.6A, SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3067LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3069L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3069L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3069L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3069L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3069L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 10722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3070SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | на замовлення 12420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3070SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3071LFR4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3071LFR4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3071LFR4-7R | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3071LFR4-7R | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3071LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3071LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3071LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3071LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H14DLY-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H14DLY-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Gate charge: 4nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 0.16A On-state resistance: 20Ω Power dissipation: 2.2W Pulsed drain current: 1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H14DLY-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 300V N-Ch Enh Mode 20Vgss 96pF 4nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Gate charge: 7.6nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 0.2A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.47W Pulsed drain current: 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 184415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 721 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Gate charge: 7.6nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 0.2A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.47W Pulsed drain current: 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 163650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0L-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 430mA; Idm: 2A; 1.98W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Gate charge: 7.6nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 0.43A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 1.98W Pulsed drain current: 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.55A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel | на замовлення 183555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 300V 0.55A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.98W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|