Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS2572onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
на замовлення 6071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+95.27 грн
100+73.87 грн
500+73.18 грн
1000+72.49 грн
3000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672ONS/FAIMOSFET N-CH 200V 3.7A/20A MLP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+131.33 грн
100+95.08 грн
500+74.25 грн
1000+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch UltraFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+143.69 грн
100+91.82 грн
500+84.22 грн
3000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672onsemiMOSFETs 200V N-Ch UltraFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+170.69 грн
100+103.55 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+244.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ONS/FAIMOSFET N-CH 250V 2.8A/14A MLP-8 (5x6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.69 грн
10+282.17 грн
100+205.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+241.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734FAIRCHILD
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.70 грн
10+298.50 грн
100+207.10 грн
500+189.15 грн
1000+179.49 грн
3000+160.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 2.5 A, 0.122 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.12 грн
10+304.44 грн
100+243.23 грн
500+189.96 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+280.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+84.49 грн
500+76.05 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D4N03SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 30V/16V NCH ERTREN MO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.40 грн
275+51.59 грн
280+50.78 грн
284+48.19 грн
289+43.90 грн
500+41.45 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D4N03SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.40 грн
25+51.59 грн
50+48.97 грн
100+44.62 грн
250+42.14 грн
500+41.45 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
10+184.50 грн
100+129.92 грн
500+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+156.40 грн
100+99.41 грн
500+98.03 грн
1000+95.27 грн
3000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08CONN
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08ConsemiMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.25 грн
10+198.47 грн
100+121.50 грн
500+102.86 грн
1000+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDConsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5725 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCFairchild SemiconductorDescription: 29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDConsemiMOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3016DCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3016DCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3016DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.80 грн
13+58.58 грн
25+55.92 грн
100+46.96 грн
250+44.63 грн
500+44.19 грн
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.15 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+127.02 грн
100+78.70 грн
250+78.01 грн
500+62.75 грн
1000+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+121.83 грн
100+96.96 грн
500+76.99 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.88 грн
242+58.58 грн
245+57.99 грн
270+50.72 грн
273+46.49 грн
500+44.19 грн
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572onsemiMOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.56 грн
10+168.31 грн
100+102.17 грн
500+101.48 грн
1000+81.46 грн
3000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.82 грн
10+140.94 грн
100+109.53 грн
500+84.51 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.79 грн
10+143.69 грн
100+97.34 грн
250+96.65 грн
500+78.70 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 78W
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.99 грн
10+146.13 грн
100+101.84 грн
500+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600ASonsemi / FairchildMOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600SON SemiconductorFDMS3600S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 T/R Si - Arrow.com
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.77 грн
10+104.17 грн
25+102.56 грн
50+97.35 грн
100+88.70 грн
250+83.77 грн
500+82.39 грн
1000+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600S
Код товару: 112021
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+118.16 грн
100+85.00 грн
500+66.03 грн
1000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+142.90 грн
100+98.72 грн
250+91.12 грн
500+82.84 грн
1000+72.49 грн
3000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.92 грн
250+67.86 грн
500+67.80 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+165.92 грн
25+136.69 грн
100+116.67 грн
250+110.45 грн
500+104.24 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602S-PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V, 4120pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+96.30 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S
Код товару: 205110
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.22 грн
100+60.36 грн
500+45.04 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Stage
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+90.50 грн
100+52.67 грн
500+41.90 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Stage
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+88.92 грн
100+52.19 грн
500+41.90 грн
1000+36.17 грн
3000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]