Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.92 грн
250+67.86 грн
500+67.80 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602S-PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V, 4120pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+96.30 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S
Код товару: 205110
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.22 грн
100+60.36 грн
500+45.04 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Stage
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Stage
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS36101L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 100V 26 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3610SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3610SON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook NVDC/Server
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON Semiconductor / FairchildMOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.09 грн
10+88.81 грн
100+71.95 грн
500+61.71 грн
1000+47.44 грн
3000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3615S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 28532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.76 грн
10+130.18 грн
25+128.87 грн
100+100.80 грн
250+92.36 грн
500+76.38 грн
1000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 28532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.95 грн
10+87.63 грн
100+74.17 грн
500+63.35 грн
1000+50.57 грн
3000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.70 грн
10+123.99 грн
25+122.76 грн
100+95.88 грн
250+87.94 грн
500+72.55 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V PowerTrench Power Stage
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @13V, 4045pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V, 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+95.05 грн
100+67.49 грн
500+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASON Semiconductor / FairchildMOSFET COMPUTING MOSFET
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.23 грн
10+113.49 грн
100+97.35 грн
500+89.68 грн
1000+78.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 111815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
100000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.42 грн
50+95.91 грн
100+81.07 грн
500+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
10+105.53 грн
25+91.41 грн
100+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.23 грн
125+113.49 грн
146+97.35 грн
500+89.68 грн
1000+78.39 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.73 грн
6000+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.73 грн
187+76.17 грн
500+73.36 грн
3000+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.08 грн
34+22.70 грн
100+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S_F121ON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerTrench PowerStage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+163.71 грн
100+114.80 грн
500+95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+90.25 грн
500+81.22 грн
1000+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.08 грн
6000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+90.25 грн
500+81.22 грн
1000+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+69.10 грн
100+56.00 грн
500+44.48 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.49 грн
10+68.97 грн
25+61.49 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 243995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668Sonsemi / FairchildMOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+107.02 грн
100+73.01 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.15 грн
6000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.