Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.26 грн
5000+17.03 грн
7500+16.26 грн
12500+14.45 грн
17500+13.97 грн
25000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.63 грн
255+55.64 грн
371+38.27 грн
372+36.80 грн
500+27.00 грн
1000+23.69 грн
2500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+38.27 грн
100+21.75 грн
500+16.71 грн
1000+15.05 грн
2500+13.25 грн
5000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.90 грн
21+39.14 грн
100+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 31833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.52 грн
100+30.25 грн
500+21.82 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.09 грн
100+26.16 грн
500+20.30 грн
1000+18.36 грн
2500+15.88 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 93513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1231+28.80 грн
10000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+48.24 грн
100+31.63 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1231+28.80 грн
10000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1231+28.80 грн
10000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1231+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 1231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+137.01 грн
100+94.78 грн
500+72.01 грн
1000+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+74.79 грн
1000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+126.45 грн
100+102.29 грн
500+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.10 грн
500+90.98 грн
1000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+56.40 грн
1000+49.91 грн
2500+47.22 грн
5000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.10 грн
500+90.98 грн
1000+83.91 грн
10000+72.13 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
488+29.06 грн
496+28.61 грн
504+28.15 грн
512+26.70 грн
521+24.32 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 488 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.45 грн
15+54.93 грн
100+51.38 грн
500+43.68 грн
1000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 12515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.53 грн
100+64.35 грн
500+48.25 грн
1000+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.27 грн
26+29.51 грн
27+27.58 грн
100+25.14 грн
250+23.73 грн
500+23.34 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.85 грн
179+79.62 грн
200+78.56 грн
500+75.52 грн
1000+69.82 грн
2000+66.73 грн
2500+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.38 грн
500+43.68 грн
1000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
10+88.59 грн
100+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.95 грн
11+74.78 грн
25+73.61 грн
100+69.85 грн
250+63.63 грн
500+60.08 грн
1000+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+75.24 грн
100+64.67 грн
500+56.96 грн
1000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.44 грн
134+106.20 грн
500+102.29 грн
1000+94.50 грн
2000+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.78 грн
193+73.61 грн
196+72.43 грн
250+68.72 грн
500+62.58 грн
1000+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+74.39 грн
100+55.02 грн
500+50.60 грн
1000+49.01 грн
2500+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+90.50 грн
100+53.36 грн
500+45.22 грн
1000+39.28 грн
2500+35.35 грн
5000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.50 грн
500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+107.12 грн
100+77.16 грн
500+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.90 грн
108+131.36 грн
120+119.07 грн
200+93.86 грн
1000+81.25 грн
2000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.50 грн
500+80.55 грн
1000+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.67 грн
25000+79.19 грн
37500+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.16 грн
500+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.97 грн
10+83.10 грн
50+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+125.35 грн
119+119.75 грн
250+114.95 грн
500+106.83 грн
1000+95.70 грн
2500+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.74 грн
500+37.24 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.21 грн
5000+23.42 грн
7500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.36 грн
5000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+65.65 грн
100+38.94 грн
500+30.72 грн
1000+27.75 грн
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.38 грн
5000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
11+74.42 грн
100+50.74 грн
500+37.24 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+61.03 грн
100+40.65 грн
500+29.93 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 666350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+52.01 грн
1000+47.96 грн
10000+42.76 грн
100000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.14 грн
157+90.72 грн
200+82.59 грн
500+61.42 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon Technologies600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.92 грн
500+43.45 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+82.56 грн
100+48.53 грн
500+38.45 грн
1000+35.69 грн
2500+31.20 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+77.03 грн
100+51.86 грн
500+38.57 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.17 грн
10+95.04 грн
100+64.92 грн
500+43.45 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.49 грн
127+111.86 грн
168+84.58 грн
200+77.00 грн
500+67.40 грн
1000+60.95 грн
2000+60.86 грн
5000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.80 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+48.51 грн
100+29.55 грн
500+22.92 грн
1000+20.78 грн
2500+17.26 грн
5000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.66 грн
5000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.24 грн
100+31.67 грн
500+23.03 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.43 грн
5000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6BTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R2K0C6BTMA1 - IPD60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.11 грн
500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.92 грн
50+42.93 грн
100+28.11 грн
500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]