Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60N10S4L-12Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.34 грн
88+162.89 грн
100+157.36 грн
250+147.14 грн
500+132.54 грн
1000+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.36 грн
212+66.98 грн
215+66.04 грн
500+63.56 грн
1000+58.75 грн
2000+56.09 грн
2500+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.37 грн
66+215.67 грн
100+175.91 грн
200+158.01 грн
1000+120.49 грн
2000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.69 грн
168+84.39 грн
171+83.08 грн
174+78.87 грн
250+71.86 грн
500+67.87 грн
1000+66.75 грн
3000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+64.05 грн
1000+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.69 грн
10+84.39 грн
25+83.08 грн
100+78.87 грн
250+71.86 грн
500+67.87 грн
1000+66.75 грн
3000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.59 грн
50+67.64 грн
100+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.28 грн
76+187.67 грн
79+179.60 грн
92+149.77 грн
100+130.54 грн
250+114.36 грн
500+104.33 грн
1000+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesIPD60R145CFD7
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+357.31 грн
42+341.97 грн
50+328.94 грн
100+306.43 грн
250+275.12 грн
500+256.93 грн
1000+250.65 грн
2500+245.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.17 грн
67+214.56 грн
100+166.08 грн
500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.52 грн
7500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.17 грн
10+214.56 грн
100+166.08 грн
500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+226.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 12932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+169.17 грн
50+130.80 грн
100+111.17 грн
500+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.47 грн
65+218.86 грн
66+216.69 грн
100+158.38 грн
250+145.12 грн
500+134.14 грн
1000+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.47 грн
10+218.86 грн
25+216.69 грн
100+158.38 грн
250+145.12 грн
500+134.14 грн
1000+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.14 грн
75+190.23 грн
106+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.14 грн
10+190.23 грн
100+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.30 грн
80+177.66 грн
100+149.34 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
10+149.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.02 грн
100+147.66 грн
2000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+133.48 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.94 грн
25+73.06 грн
100+68.76 грн
250+63.04 грн
500+59.91 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+116.74 грн
50+88.98 грн
100+75.13 грн
500+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.94 грн
195+73.06 грн
199+71.31 грн
250+68.08 грн
500+62.40 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.09 грн
10+145.74 грн
100+101.12 грн
500+77.78 грн
1000+66.18 грн
2500+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.74 грн
141+101.12 грн
500+80.66 грн
1000+71.48 грн
2500+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.26 грн
116+122.85 грн
119+120.02 грн
500+92.95 грн
1000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.72 грн
10+142.71 грн
100+101.77 грн
500+79.27 грн
1000+67.74 грн
2500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.49 грн
10+121.90 грн
50+93.03 грн
100+78.58 грн
500+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.26 грн
10+230.87 грн
25+229.48 грн
100+219.95 грн
250+202.42 грн
500+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.72 грн
100+142.71 грн
140+101.77 грн
500+79.27 грн
1000+67.74 грн
2500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.48 грн
100+219.95 грн
250+202.42 грн
500+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SInfineon
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7S E8228Infineon Technologies CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.24 грн
190+74.61 грн
227+62.72 грн
250+60.43 грн
500+55.91 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 9846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.