Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+36.82 грн
392+36.24 грн
398+35.66 грн
404+33.83 грн
500+30.81 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1318A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1318A
Power dissipation: 215W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+82.64 грн
1000+79.27 грн
1500+70.61 грн
3000+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5287 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.35 грн
3000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.82 грн
25+36.24 грн
100+34.39 грн
250+31.33 грн
500+29.58 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 25V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+62.72 грн
100+48.60 грн
500+44.87 грн
1000+37.49 грн
1500+35.55 грн
3000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127NexperiaMOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.84 грн
3+272.56 грн
10+265.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.40 грн
10+259.74 грн
50+203.67 грн
100+174.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+464.23 грн
100+440.61 грн
500+418.16 грн
1000+380.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN1R1-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+259.60 грн
50+225.05 грн
100+182.25 грн
500+162.23 грн
1000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 338
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.13 грн
10+311.69 грн
100+256.12 грн
500+201.92 грн
1000+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.12 грн
500+201.92 грн
1000+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+164.01 грн
100+131.80 грн
500+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+125.64 грн
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+153.56 грн
100+146.29 грн
250+144.58 грн
500+139.06 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.36 грн
10+289.94 грн
50+264.98 грн
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+214.49 грн
50+166.95 грн
100+142.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+321.30 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1320A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1320A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+208.79 грн
100+129.78 грн
500+109.07 грн
800+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.34 грн
1600+118.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.03 грн
5+779.62 грн
10+676.53 грн
50+502.57 грн
100+425.25 грн
250+392.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80ASFJNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 1.11
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.42 грн
10+408.06 грн
100+295.47 грн
500+273.38 грн
1000+231.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+676.53 грн
50+502.57 грн
100+425.25 грн
250+392.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.83 грн
10+422.47 грн
50+337.90 грн
100+291.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.03 грн
5+779.62 грн
10+676.53 грн
50+502.57 грн
100+425.25 грн
250+392.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+676.53 грн
50+502.57 грн
100+425.25 грн
250+392.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.83 грн
10+422.47 грн
50+337.90 грн
100+291.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 1.16 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.42 грн
10+408.06 грн
100+326.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+176.66 грн
100+128.78 грн
500+107.66 грн
1500+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 121W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.81 грн
10+128.71 грн
100+89.20 грн
500+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 25V 100A
на замовлення 19504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+92.89 грн
100+68.90 грн
1000+67.10 грн
1500+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+131.11 грн
100+106.14 грн
250+105.07 грн
500+91.41 грн
1000+71.74 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115
Код товару: 83240
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC
Код товару: 131603
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC 1C225LNXPN-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.43 грн
10+61.61 грн
100+40.45 грн
500+34.31 грн
1000+28.86 грн
1500+28.30 грн
3000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.12 грн
100+42.05 грн
500+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+114.99 грн
500+103.49 грн
1000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
10+101.48 грн
100+67.65 грн
500+49.36 грн
1000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.33 грн
10+60.66 грн
25+52.35 грн
100+49.86 грн
250+45.70 грн
500+44.04 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.97 грн
500+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.08 грн
10+199.74 грн
100+124.03 грн
500+90.49 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.3nC
On-state resistance: 2.87mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 172W
Pulsed drain current: 1163A
Drain current: 205A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.03 грн
500+90.49 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 19426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+97.65 грн
50+63.51 грн
100+56.47 грн
1500+38.52 грн
3000+35.55 грн
4500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+93.18 грн
100+63.14 грн
500+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.42 грн
25+45.65 грн
100+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1237A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1237A
Power dissipation: 215W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.93 грн
100+52.56 грн
500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
Verlustleistung: 215W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+130.47 грн
100+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 6721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.72 грн
10+84.15 грн
100+61.72 грн
1500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.79 грн
3000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+135.84 грн
1000+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 209A
Pulsed drain current: 1181A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.55 грн
10+107.97 грн
50+69.72 грн
100+62.96 грн
1500+42.59 грн
3000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.37 грн
100+54.76 грн
500+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+245.30 грн
100+200.96 грн
500+160.55 грн
1000+135.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperiaMOSFET N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.06 грн
10+246.11 грн
100+175.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]