Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1237A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1237A
Power dissipation: 215W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
Verlustleistung: 215W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.19 грн
4500+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLD/2XNexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.46 грн
50+63.60 грн
100+53.36 грн
500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 209A
Pulsed drain current: 1181A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.46 грн
240+58.93 грн
500+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.54 грн
11+71.46 грн
100+58.93 грн
500+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+135.54 грн
1000+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
10+247.57 грн
100+202.82 грн
500+162.03 грн
1000+136.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHNexperiaMOSFET N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 330A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+447.88 грн
100+425.48 грн
500+403.09 грн
1000+367.10 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 55V 330A
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.40 грн
10+333.92 грн
50+265.32 грн
100+228.28 грн
500+219.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNexperiaMOSFETs PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 80V 375A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.21 грн
10+386.30 грн
50+308.53 грн
100+266.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.86 грн
10+345.01 грн
50+274.29 грн
100+236.05 грн
500+227.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
10+390.15 грн
50+311.76 грн
100+268.89 грн
500+265.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNexperiaMOSFETs PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-20YL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 31290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.01 грн
34+22.64 грн
100+21.47 грн
250+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 121W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+153.07 грн
50+117.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R3-30YL/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-80SSFJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.86 грн
10+305.61 грн
50+241.98 грн
100+207.88 грн
500+195.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 340A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
10+389.70 грн
50+310.87 грн
100+267.95 грн
500+262.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.54 грн
10+375.43 грн
50+299.54 грн
100+258.18 грн
500+252.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 340A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
10+390.15 грн
100+286.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.97 грн
160+88.53 грн
237+59.87 грн
500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.69 грн
10+88.59 грн
100+61.44 грн
500+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1019A; 166W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1019A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.57 грн
500+89.61 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.57 грн
500+89.61 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLD,115NXP USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLD,115-NEXNexperia USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1201A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1201A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]