Продукція > RS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS1E321GNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP | на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A | на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V | на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET. Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in | на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E350GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1E471MF160A00CE 470 мкФ 25 В | Chang | RS 8*16 -40..+105C, low esr Конденсатори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1E471MF160A00CE0 470 мкФ 25 В | Chang | 8.0*16 -40..+105C 4000h Конденсатори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1EK1-A-2515 | Coto Technology | Description: SW REED MEMS SPST EVAL KIT | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FD-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FD-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 57445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FD-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 57445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FD-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FD-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FG-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 29090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FG-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 26598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FG-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 29090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FG-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FG-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 23805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 23805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 600V 500NS SMF FAST SWITCHI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FJ-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FK-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FK-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FK-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 28645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FK-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FK-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FK-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 28645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FK-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 28050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/H | Vishay | Rectifiers 1A 200V 500NS SMF FAST SWITCHI | на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 28050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 28979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLD-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 200V 500NS SMF FAST SWITCHI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1FLG productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1FLG productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB | на замовлення 14670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 1A,400V,500NS SMF FAST SWITCHING | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLG-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 400V 500NS SMF FAST SWITCHI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLJ-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 15530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLJ-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLJ-M3/H | Vishay | Rectifiers 1A 600V 500NS SMF FAST SWITCHI | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLJ-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 600V 500NS SMF FAST SWITCHI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLK-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLK-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 16817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLK-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 800V 500NS SMF FAST SWITCHI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FLM-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLM-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1FLM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLM-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FLM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1FLM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 11810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FLM-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 56955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 27330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 40389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - RS1FM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 27330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/H | Vishay | Rectifiers 1A 1000V 500NS SMF FAST SWITCH | на замовлення 26585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/I | Vishay | Rectifiers 1A 1000V 500NS SMF FAST SWITCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1FM-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | RS1G Диоды | на замовлення 91 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RS1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 18150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 8639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ONS/FAI | 1A, 400V, SMA/DO-214AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 14133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | SMC Diode Solutions | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 10pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.19W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 8639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | на замовлення 18588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | 1A,400V,gpFAST RECOV.SMD RF Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Microdiode Electronics (MDD) | Surface Mount Fast Recovery Rectifier | на замовлення 865000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G Код товару: 116905
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-214AC Uзвор., V: 400 V Iвипр., A: 1 A Опис: Швидкий Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1,3 V | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| RS1G | SMC Diode Solutions | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 18644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | onsemi | Rectifiers 400V 1a Fast Rect SMa | на замовлення 50748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G F3 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G F3 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G M2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

