Продукція > AFG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AFGHL50T65RQDNONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 173W; TO247-3; automotive industry
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Application: automotive industry
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 173W
Gate charge: 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDNonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 50A, 15V
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/76ns
Switching Energy: 3.09mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2.5Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 346 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDNonsemiIGBTs 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.53 грн
30+201.23 грн
120+166.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQonsemiIGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT Stand alone IGBT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDON Semiconductor
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.99 грн
30+245.13 грн
120+204.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDonsemiIGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDCON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDCONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDCON Semiconductor
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDConsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.30 грн
30+488.85 грн
120+417.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDConsemiIGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDCON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDCONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 119W
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.94 грн
30+241.63 грн
120+201.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQonsemiIGBTs 650V 75A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL75T65SQ - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.13 грн
30+299.67 грн
120+252.09 грн
510+207.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDonsemiIGBTs 650V/75A FS4 IGBT
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDCONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDCON Semiconductor
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDCONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDConsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.11 грн
30+465.22 грн
120+396.66 грн
510+329.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDConsemiIGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDCON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/106ns
Switching Energy: 2.12mJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.61 грн
30+285.48 грн
120+239.74 грн
510+195.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDTonsemiIGBTs 650V/75A FS4 IGBT
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGT03Carlo Gavazzi Inc.Description: FIBRE GL ACC 1MM TB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY100T65SPDONSEMIDescription: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY100T65SPDON Semiconductor
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY100T65SPDonsemiIGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY100T65SPDonsemiDescription: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPDonsemiIGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/80ns
Switching Energy: 6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.20 грн
30+557.03 грн
120+478.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPDONSEMIDescription: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 714W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD-B4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 243 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD-B4ONSEMIDescription: ONSEMI - AFGY120T65SPD-B4 - IGBT, 240 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 882
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD-B4onsemiIGBT Transistors FS3 TO247 120A 650V AUTOMOTIVE TRACTION WITH BINNING
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4onsemiIGBTs FS3 TO247 160A 650V AUTOMOTIVE TRACTION WITH BINNING
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4ON SemiconductorIGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 245 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4ON Semiconductor
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4ONSEMIDescription: ONSEMI - AFGY160T65SPD-B4 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3