Продукція > DI0

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Power Dissipation (Max): 110W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+96.85 грн
100+57.02 грн
500+45.56 грн
1000+43.77 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6500 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.94 грн
500+54.82 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Power Dissipation (Max): 110W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6500 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+109.53 грн
100+73.94 грн
500+54.82 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100 V, 45 A, 9.5 m, 150C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2DIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+42.85 грн
500+33.43 грн
1000+27.41 грн
5000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+89.71 грн
100+46.87 грн
500+46.39 грн
1000+43.42 грн
2500+28.17 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.82 грн
14+61.77 грн
100+43.01 грн
500+32.16 грн
1000+25.27 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.74 грн
100+43.91 грн
500+32.41 грн
1000+29.58 грн
2000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.21 грн
20+40.99 грн
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+37.99 грн
100+24.66 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+36.60 грн
100+20.23 грн
500+16.29 грн
1000+13.60 грн
2500+13.39 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N08PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTKDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTKDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 32A; Idm: 300A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTKDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 32A; Idm: 300A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI04SApemDIP Switches/SIP Switches 4P SPST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04BPT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 7m, 175C, AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
10+32.07 грн
100+16.71 грн
500+16.57 грн
1000+16.02 грн
2500+14.15 грн
5000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04BPT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04BPT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.38 грн
100+20.88 грн
500+14.94 грн
1000+13.44 грн
2000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04BPT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 35.7W; PQFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35.7W
Case: PQFN3X3
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PQ2-AQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 40V, 50A, 8.5m, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
12+67.25 грн
100+45.18 грн
500+35.52 грн
1000+28.44 грн
5000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 37W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 37W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+24.38 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.68 грн
100+28.54 грн
500+20.66 грн
1000+18.68 грн
2000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
18+46.63 грн
100+32.86 грн
500+24.38 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.78 грн
100+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.30 грн
26+31.17 грн
100+26.90 грн
500+21.46 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.49 грн
10+43.54 грн
100+28.59 грн
500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+27.87 грн
500+21.99 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.77 грн
23+36.40 грн
100+31.41 грн
500+25.05 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.32 грн
100+35.13 грн
500+25.64 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+32.54 грн
500+25.73 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-QDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-QDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 50A, 8.5m?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06PQ2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 280A; 40.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 40.5W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.49 грн
27+30.36 грн
100+26.26 грн
500+20.94 грн
1000+17.74 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.63 грн
25+33.42 грн
100+28.83 грн
500+23.03 грн
1000+19.54 грн
5000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+33.42 грн
500+26.40 грн
1000+22.02 грн
5000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 200A; 47.9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 47.9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 200A; 47.9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 47.9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.65 грн
500+66.34 грн
1000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
10+95.84 грн
100+79.65 грн
500+66.34 грн
1000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N06PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 300A; 54.3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 54.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.17 грн
10+62.49 грн
25+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI064P04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.53 грн
500+65.36 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI064P04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
10+95.04 грн
100+78.53 грн
500+65.36 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 65A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1617 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N06PTDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 65A, 5m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.56 грн
100+57.94 грн
500+43.27 грн
1000+39.70 грн
2500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+91.30 грн
100+53.71 грн
500+42.73 грн
1000+39.21 грн
2500+36.24 грн
5000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI065SIC020TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 140A
Power dissipation: 288W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065SIC020TL-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 140A
Power dissipation: 288W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Technology: SiC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQDComponentsDescription: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; Idm: 210A; 25W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 210A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
15+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 150C, P, AEC-Q101
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+100.82 грн
100+59.99 грн
500+47.43 грн
1000+43.49 грн
2500+39.28 грн
5000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.50 грн
100+59.39 грн
500+44.41 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI068P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.96 грн
500+65.51 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-05MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-5V +/-0-600mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.73 грн
10+988.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-12MEAN WELLDC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-12V +/-0-250mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.68 грн
50+735.14 грн
100+633.73 грн
200+633.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-12MEAN WELL USA Inc.Description: I/P: 9-75VDC;O/P:12V 250MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-15MEAN WELL USA Inc.Description: I/P: 9-75VDC;O/P:15V 200MA,1"*1"
Voltage - Isolation: 3 kV
Number of Outputs: 2
Power (Watts): 6 W
Voltage - Output 2: -12V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Input (Min): 9V
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Efficiency: 84.5%
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Voltage - Input (Max): 75V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Type: Isolated Module
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.67 грн
5+720.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-15MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-15V +/-0-200mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1380.45 грн
10+1090.01 грн
20+872.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]