Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.14 грн
10+43.82 грн
100+25.61 грн
500+20.02 грн
1000+18.22 грн
2000+16.43 грн
4000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 71708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+35.45 грн
100+24.31 грн
500+18.07 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.83 грн
500+19.00 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.37 грн
5000+14.62 грн
7500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
на замовлення 7827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+43.27 грн
100+24.58 грн
500+18.92 грн
1000+17.19 грн
2500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.31 грн
19+44.14 грн
100+28.83 грн
500+19.00 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+41.21 грн
100+28.43 грн
500+21.24 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+46.92 грн
100+28.23 грн
500+23.61 грн
1000+20.09 грн
2500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 905000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.93 грн
5000+13.65 грн
12500+12.67 грн
25000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13DiodesMOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 905640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.42 грн
100+25.35 грн
500+18.57 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.81 грн
18+46.31 грн
100+29.07 грн
500+22.51 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 2985000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.61 грн
6000+16.07 грн
9000+14.88 грн
30000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+40.89 грн
100+24.44 грн
500+19.61 грн
1000+17.67 грн
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.07 грн
500+22.51 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 2987838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+38.66 грн
100+26.78 грн
500+21.00 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1017000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.21 грн
4000+16.99 грн
6000+16.22 грн
10000+14.41 грн
14000+13.93 грн
20000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+40.41 грн
100+23.95 грн
500+19.61 грн
1000+17.47 грн
2000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.07 грн
500+22.59 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 40601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.42 грн
100+29.04 грн
500+21.04 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.81 грн
18+46.31 грн
100+29.07 грн
500+22.59 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.70 грн
20000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.77 грн
500+13.31 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+10.06 грн
9000+9.86 грн
15000+8.94 грн
21000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.93 грн
30+27.63 грн
100+18.77 грн
500+13.31 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.71 грн
10+33.90 грн
100+20.64 грн
500+15.88 грн
1000+13.46 грн
3000+10.22 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+31.11 грн
100+20.66 грн
500+14.92 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
10+33.13 грн
25+30.93 грн
100+23.24 грн
250+21.58 грн
500+18.26 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13DiodesTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 9813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+19.29 грн
100+13.39 грн
500+12.84 грн
1000+12.29 грн
3000+11.60 грн
24000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.23 грн
6000+12.82 грн
15000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 51045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
10+33.13 грн
25+30.93 грн
100+23.24 грн
250+21.58 грн
500+18.26 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.91 грн
45+18.04 грн
100+14.42 грн
500+12.71 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.23 грн
6000+12.82 грн
10000+11.94 грн
50000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.42 грн
500+12.71 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7DiodesТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+34.30 грн
100+22.16 грн
500+18.78 грн
1000+14.50 грн
2000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-13DiodesTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7DiodesTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+37.00 грн
100+17.53 грн
500+15.05 грн
1000+14.70 грн
2500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.20 грн
500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13DiodesMOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.56 грн
5000+15.55 грн
7500+14.85 грн
12500+13.21 грн
17500+12.78 грн
25000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.45 грн
18+46.23 грн
100+30.20 грн
500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 47940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.45 грн
500+19.84 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V
на замовлення 7222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
11+29.69 грн
100+17.88 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.47 грн
100+29.78 грн
500+21.59 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 877630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
11+28.72 грн
100+20.07 грн
500+14.63 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 42345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
12+28.26 грн
100+16.84 грн
500+14.36 грн
1000+12.63 грн
3000+9.11 грн
6000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 873000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
6000+10.37 грн
9000+10.00 грн
15000+9.35 грн
21000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.22 грн
10+36.92 грн
100+22.37 грн
500+17.47 грн
1000+14.84 грн
3000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 390437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+34.03 грн
100+23.19 грн
500+16.70 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.77 грн
6000+12.72 грн
9000+12.15 грн
15000+10.80 грн
21000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 28515 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
10+34.63 грн
16+21.04 грн
100+15.26 грн
500+10.22 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
6000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.08 грн
50+23.28 грн
100+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 582000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.53 грн
500+17.68 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
6000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
9000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
13+25.25 грн
100+13.88 грн
500+10.77 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.00 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
6000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.66 грн
100+21.81 грн
500+16.71 грн
1000+15.05 грн
3000+12.91 грн
6000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]