Продукція > GS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GS6250-600Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.6250 DIA. X 60IN LG
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19101.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS6267SGS09+ SOP16
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS6268SNLINKAS2000
на замовлення 17965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS6269SNLINKAS1999
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS6333UR1903SI
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS6333UR19D3VISHAY09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS64/20GSM/GPRS Radio Device Бездротові GSM модулі
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS65011-EVBEZGaN SystemsPower Management IC Development Tools EZDrive Open Loop Boost Evaluation Board
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS65011-EVBEZGaN Systems IncOpen Loop Boost Evaluation Board
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16500.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS651DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; conical; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: conical
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS6521411SwitchEasyDescription: WALLCHARGERPOWERBUDDYPROGAN65WBL
Packaging: Box
For Use With/Related Products: iPad, MacBook
Accessory Type: Power Adapter
Specifications: Black
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS653DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: chisel
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS656DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; conical; 6mm; longlife; for soldering iron
Soldering equipment features: longlife
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: conical
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS658DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 6mm; longlife; for soldering iron
Soldering equipment features: longlife
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: chisel
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS65R060Q4AGoford SemiconductorDescription: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.62 грн
50+550.81 грн
100+459.36 грн
500+396.23 грн
1000+344.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS663DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; bent chisel; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: bent chisel
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-BGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+740.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.47 грн
10+712.97 грн
100+583.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.36 грн
5+965.66 грн
10+820.97 грн
50+687.61 грн
100+560.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 6.3A; Idm: 15A; GaNPX
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 15A
Case: GaNPX
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 516mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.36 грн
5+965.66 грн
10+820.97 грн
50+687.61 грн
100+560.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BTRXUMA1Infineon Technologies LEGACY GAN SYSTEMS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-BGaN Systems IncGS66504B-B
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-E01-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66504B-MR, discount on ship and debit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-E01-MRGaN Systems IncGS66504B-E01-MR
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.20 грн
10+608.96 грн
25+592.05 грн
50+547.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-E01-MRGaN Systems IncGS66504B-E01-MR
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+637.05 грн
24+609.18 грн
25+593.89 грн
50+548.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66504B Half Bridge Daughter Board
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+644.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MRGaN SystemsGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.99 грн
10+783.24 грн
100+647.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 3-Pin ULGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-TRGaN SystemsGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+846.98 грн
50+733.65 грн
100+627.75 грн
250+615.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.73 грн
5+990.86 грн
10+846.98 грн
50+733.65 грн
100+627.75 грн
250+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1492.38 грн
5+1253.41 грн
10+1066.45 грн
50+892.16 грн
100+728.08 грн
250+713.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1492.38 грн
5+1253.41 грн
10+1066.45 грн
50+892.16 грн
100+728.08 грн
250+713.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-BGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1334.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-E01-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650V 22A E-Mode GaN
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-MRGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1295.65 грн
10+942.73 грн
100+836.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.5nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2078.44 грн
5+1774.44 грн
10+1511.89 грн
50+1259.74 грн
100+1072.26 грн
250+1050.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2078.44 грн
5+1774.44 грн
10+1511.89 грн
50+1259.74 грн
100+1072.26 грн
250+1050.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-BGaN Systems IncGS66508B-B
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1612.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-E01-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66508B-MR
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66508B Half Bridge Daughter Board
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-EVBDB1GaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR TEST/EVALUATION PRODUCT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16500.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-EVBDB1GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Digital Driver Half Bridge Daughter Board feauturing the Analog Devices ADuM4121, a high voltage, isolated gate driver
на замовлення 101 шт:
термін постачання 148-157 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1595.85 грн
10+1129.53 грн
100+1003.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MR
Код товару: 169559
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+1000.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MRGaN Systems IncBottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.03 грн
5+2032.11 грн
10+1728.92 грн
50+1446.92 грн
100+1180.25 грн
250+1156.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.03 грн
5+2032.11 грн
10+1728.92 грн
50+1446.92 грн
100+1180.25 грн
250+1156.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508P-E03-TYGaN SystemsMOSFET 650V, 30A, E-Mode Preproduction Units
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508P-E04-TYGaN SystemsMOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508P-E05-MRGaN SystemsMOSFET Discontinued. NRND. Use GS66508B-MR instead
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508P-E05-MRGaN Systems IncGS66508P-E05-MR
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1937.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508P-E05-TYGaN SystemsMOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-BGaN Systems IncGS66508T-B
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1291.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-E02-MR
Код товару: 174216
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-E02-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66508T-MR
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66508T Half Bridge Daughter Board
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-EVBDB2GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-MRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+1612.36 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+810.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+810.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.03 грн
5+2032.11 грн
10+1728.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.03 грн
5+2032.11 грн
10+1728.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-BGaN Systems IncGS66516B-B
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3856.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650 V E-MODE GAN TRANSITOR
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-E01-MRGaN Systems IncGS66516B-E01-MR
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3804.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+3459.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+3459.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]