Продукція > APT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT41M80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 43A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-247
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50SMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT42F50SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT43F60B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT43F60B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT43F60LMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT43F60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 43 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A
Power - Max: 337 W
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BD30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A
Power - Max: 337 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BD30MICROSEMITO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT APT43GA90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BD30Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 78A 337W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1310.31 грн
13+1157.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BD30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BSC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT43GA90BSC30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT MOS 8 COMBI 900 V 43 A T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT43M60B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT43M60B2Microchip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT43M60LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT43M60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8590 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT44F80B2Microchip TechnologyStandard Circular Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT44F80B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT44F80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 47A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT44F80L
Код товару: 204411
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT44F80LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 800 V 44 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 78A 337W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 337 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BD30Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 78A 337W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 337 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BD30Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BD30CMicrochip TechnologyIGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT44GA60BD30CMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 78A 337W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/102ns
Switching Energy: 409µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 337 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT44H60JAPT44A/600V/MOS/1U
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4525AN
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4530AN
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120B2DF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120B2DF2APTТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 113A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/102ns
Switching Energy: 900µJ (on), 904µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.94 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120JDF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GP120JDQ2Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65BMicrochipIGBT 650V 92A 357W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65BMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 650 V 45 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65BMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 650V 92A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 168 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65B2DU30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65SMicrosemiIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT45GR65SSCD10MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT45M100JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT45M100JMicrochip TechnologyIGBTs MOSFET MOS8 1000 V 45 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40
Код товару: 181786
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 284 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.17 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40MicrosemiТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JD40MICROSEMIISOTOP/High Speed PT IGBT APT46GA90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT46GA90JSC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47F60JMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 600V, SOT-227
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT47F60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT47GA60JD40Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 600V 87A 283W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.32 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT47GA60JD40Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 47 A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47M60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 8 600 V 47 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47M60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2239.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BC3 (TO-247)
Код товару: 95890
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BC3GMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BC3GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BC3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BC3GMICROSEMITO 247/MOSFET N-CH 47A 600V APT47N
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60BCFGMICROSEMITO 247/FREDFET N-CH 46A 600V APT47N
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60SC3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N60SC3GMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N65BC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT47N65SCS3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT48M80B2Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-247 MAX
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT48M80B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT48M80B2MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT48M80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 49A TO264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1778.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT48M80LMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT48MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT48MMCLR - PACKAGING TAPE PP 48MM X 66M
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Rollenlänge - imperial: 216ft
hazardous: false
Bandbreite - Imperial: 1.88"
rohsPhthalatesCompliant: NA
Rollenlänge - metrisch: 66m
Bandbreite - Metrisch: 48mm
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Transparent
Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4F120KMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1200 V 4 A TO-220
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4F120KMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT4F120SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120K
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 4 A TO-220
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMICROSEMITO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT4M120KMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+399.55 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT5010B2FLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.