Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT40N60BC7 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET FAST Superjunction 600 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40N60JCU2 | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU2 | MICROSEMI | SOT227/POWER MODULE - COOLMOS APT40N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU3 | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120B | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - SiC | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120J | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120S | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120S | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 1000 V 41 A SOT-227 | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT41F100J | MICROSEMI | ISOTOP/N-Channel FREDFET APT41F100 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J(транзистор) Код товару: 61219
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT41M80B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41M80B2 | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41M80L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 43A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41M80L | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 42A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT42F50B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-247 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT42F50S | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT42F50S | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43F60B2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43F60B2 | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43F60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 45A TO264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43F60L | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43GA90B | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 78A TO247 Power - Max: 337 W Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Part Status: Active Gate Charge: 116 nC Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT43GA90B | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 43 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43GA90BD30 | MICROSEMI | TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT APT43GA90 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43GA90BD30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 78A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A Power - Max: 337 W | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT43GA90BD30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43GA90BD30 | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 900V 78A 337W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT43M60B2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT43M60B2 | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT43M60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 45A TO264 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8590 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT43M60L | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44F80B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44F80B2 | Microchip Technology | Standard Circular Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44F80L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 47A TO264 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-264 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44F80L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 800 V 44 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44F80L Код товару: 204411
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT44GA60B | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 78A 337W TO-247 Power - Max: 337 W Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Gate Charge: 128 nC Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44GA60B | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44GA60BD30 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 78A 337W TO-247 Power - Max: 337 W Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Gate Charge: 128 nC Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44GA60BD30 | Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT44GA60BD30C | Microsemi Corporation | Description: IGBT 600V 78A 337W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/102ns Switching Energy: 409µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A Power - Max: 337 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44GA60BD30C | Microchip Technology | IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT44H60J | APT | 44A/600V/MOS/1U | на замовлення 141 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT4525AN | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT4530AN | на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT45GP120B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT45GP120B2DF2 | APT | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GP120B2DF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT45GP120B2DQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 1200V 113A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off) Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 113 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A Power - Max: 625 W | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT45GP120B2DQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT45GP120BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/102ns Switching Energy: 900µJ (on), 904µJ (off) Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A Power - Max: 625 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GP120BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT45GP120J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.94 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Power - Max: 329 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GP120J | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT45GP120JDF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT45GP120JDQ2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA Power - Max: 329 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GP120JDQ2 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65B | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 650 V 45 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65B | Microchip | IGBT 650V 92A 357W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65B | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 650V 92A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns Switching Energy: 900µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 92 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 168 A Power - Max: 357 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65B2DU30 | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65S | Microsemi | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45GR65SSCD10 | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45M100J | Microchip Technology | IGBTs MOSFET MOS8 1000 V 45 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT45M100J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 | Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 | MICROSEMI | ISOTOP/High Speed PT IGBT APT46GA90 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector (Ic) (Max): 87 A Part Status: Active IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.17 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Power - Max: 284 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 | Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 | Microsemi | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT46GA90JD40 Код товару: 181786
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT47F60J | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 600V, SOT-227 | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47F60J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47GA60JD40 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 87A 283W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.32 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA Power - Max: 283 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 87 A Part Status: Active IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47GA60JD40 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 47 A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47M60J | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 8 600 V 47 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47M60J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT47N60BC3 (TO-247) Код товару: 95890
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47N60BC3G | MICROSEMI | TO 247/MOSFET N-CH 47A 600V APT47N кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47N60BCFG | MICROSEMI | TO 247/FREDFET N-CH 46A 600V APT47N кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47N60SC3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT47N60SC3G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT47N60SC3G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268 | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT47N65BC3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT47N65SCS3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |