Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMPH4013SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -120A Drain current: -40A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 67nC On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 3.7W Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPS-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPS-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -277A; 3.3W Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -277A Drain current: -49A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 87nC On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI5060-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 385000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4013SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4013SPSWQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -10A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -10A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -100A; 2.6W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -9A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.6W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI5060-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 610000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 3110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain current: -35A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 18.7nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|