Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 610000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) FET Type: P-Channel | на замовлення 13640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 32558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain current: -35A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 18.7nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain current: -35A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 18.7nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes | MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |