Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.53 грн
249+57.15 грн
250+56.78 грн
301+45.42 грн
304+41.74 грн
500+33.45 грн
1000+29.58 грн
3000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2061 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2458 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.76 грн
10+108.03 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2458 pF @ 12 V
на замовлення 3529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.35 грн
100+47.86 грн
500+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+82.56 грн
50+53.36 грн
100+47.43 грн
1500+31.96 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.39 грн
100+37.29 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+60.57 грн
100+34.86 грн
500+27.20 грн
1000+23.47 грн
1500+21.47 грн
4500+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.10 грн
10+143.36 грн
100+89.40 грн
500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.10 грн
500+44.27 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.89 грн
100+36.26 грн
500+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.99 грн
100+33.90 грн
500+26.44 грн
1000+22.71 грн
1500+21.81 грн
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.96 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
500+238.61 грн
1000+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Packaging: Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R5-80PS - POWE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PSNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 69706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.88 грн
10+210.21 грн
100+183.63 грн
500+136.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.98 грн
100+395.72 грн
500+375.64 грн
1000+341.72 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 66039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN3R5-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.27 грн
10+235.79 грн
50+176.04 грн
100+151.18 грн
250+150.49 грн
500+140.14 грн
1000+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.98 грн
100+395.72 грн
500+375.64 грн
1000+341.72 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.98 грн
100+395.72 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.27 грн
10+386.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.98 грн
100+395.72 грн
500+375.64 грн
1000+341.72 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 80V 150 A
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.37 грн
10+168.31 грн
100+103.55 грн
500+86.98 грн
1000+80.08 грн
1500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.34 грн
10+186.00 грн
50+143.96 грн
100+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaN-Channel 80 V 150A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 765A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 135A
Pulsed drain current: 765A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 294W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.11 грн
500+131.62 грн
1000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 28200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.97 грн
500+239.79 грн
1000+226.80 грн
10000+206.17 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.21 грн
10+235.98 грн
100+165.11 грн
500+131.62 грн
1000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.06 грн
10+364.04 грн
100+291.55 грн
500+228.85 грн
1000+196.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+283.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.65 грн
64+224.06 грн
100+192.50 грн
500+169.49 грн
800+156.18 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaMOSFETs SOT404 100V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+327.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
10+201.18 грн
100+165.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+311.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+299.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+233.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.65 грн
10+224.06 грн
100+192.50 грн
500+169.49 грн
800+156.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK56
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-30YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1848 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.26 грн
1600+111.20 грн
2400+107.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.80 грн
10+316.52 грн
100+252.09 грн
500+198.93 грн
1000+170.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.18 грн
10+212.47 грн
100+150.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.99 грн
10+213.56 грн
100+129.09 грн
500+116.67 грн
800+105.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+152.59 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-30LL
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.81 грн
500+201.99 грн
1000+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.22 грн
500+118.16 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+157.98 грн
100+96.65 грн
500+83.53 грн
1000+80.08 грн
1500+72.49 грн
3000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+133.87 грн
100+92.57 грн
500+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.14 грн
10+186.05 грн
100+152.22 грн
500+118.16 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.91 грн
3000+62.05 грн
4500+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN3R9-25MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.98 грн
10+48.19 грн
100+28.23 грн
500+22.16 грн
1500+19.05 грн
3000+16.57 грн
9000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+41.13 грн
100+27.50 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R9-60PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.00294 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00294ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.57 грн
10+149.80 грн
100+130.47 грн
500+112.93 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.31 грн
10+209.40 грн
100+171.59 грн
500+137.08 грн
1000+115.61 грн
2000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.50 грн
10+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQNexperiaMOSFET PSMN3R9-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.90 грн
10+188.95 грн
100+137.38 грн
500+121.50 грн
1000+96.65 грн
5000+93.20 грн
10000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQNXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60XS127NXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5494 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60XSQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN4R0-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+55.89 грн
100+31.96 грн
500+25.13 грн
1000+22.09 грн
1500+16.78 грн
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]