Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN3R4-30PL,127NexperiaMOSFETs PSMN3R4-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.42 грн
14+57.40 грн
25+57.03 грн
50+54.63 грн
100+41.96 грн
250+39.98 грн
500+33.38 грн
1000+29.52 грн
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.40 грн
249+57.03 грн
250+56.65 грн
301+45.32 грн
304+41.65 грн
500+33.38 грн
1000+29.52 грн
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2061 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 447A
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
10+109.02 грн
25+82.19 грн
100+73.80 грн
250+68.77 грн
500+65.41 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.91 грн
100+37.63 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.40 грн
100+36.60 грн
500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Packaging: Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
500+238.08 грн
1000+223.94 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.33 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PSNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R5-80PS - POWE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.54 грн
500+190.94 грн
1000+180.33 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN3R5-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.05 грн
100+394.84 грн
500+374.80 грн
1000+340.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 66039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.54 грн
500+190.94 грн
1000+180.33 грн
10000+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.05 грн
100+394.84 грн
500+374.80 грн
1000+340.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.54 грн
500+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.05 грн
100+394.84 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.31 грн
10+385.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.05 грн
100+394.84 грн
500+374.80 грн
1000+340.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 69706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.54 грн
500+190.94 грн
1000+180.33 грн
10000+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.22 грн
50+124.43 грн
100+105.64 грн
500+86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 28200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
500+239.26 грн
1000+226.30 грн
10000+205.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaN-Channel 80 V 150A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN3R5-80YSF/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 294W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.07 грн
64+223.56 грн
100+192.07 грн
500+169.12 грн
800+155.83 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+212.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+326.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.66 грн
2400+125.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+310.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+298.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.07 грн
44+323.32 грн
100+232.33 грн
500+219.76 грн
800+165.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+232.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 18993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.66 грн
10+239.57 грн
50+187.84 грн
100+160.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.07 грн
10+323.32 грн
100+232.33 грн
500+219.76 грн
800+165.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaMOSFETs SOT404 100V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+282.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK56
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-30YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1848 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+216.02 грн
50+168.62 грн
100+143.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+105.35 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.31 грн
2400+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+152.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-30LL
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN3R9-100YSF/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
500+201.54 грн
1000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+73.76 грн
4500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.41 грн
50+109.93 грн
100+93.03 грн
500+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
50+36.00 грн
100+29.94 грн
500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]