Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFX21N100QIXYSMOSFETs 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX21N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 220A PLUS247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N15PIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+937.48 грн
3+774.91 грн
10+701.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1388.70 грн
12+1275.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1876.77 грн
3+1632.85 грн
5+1566.60 грн
10+1473.51 грн
30+1337.65 грн
60+1252.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1830.39 грн
10+1811.16 грн
25+1597.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TIXYSMOSFETs 230A 200V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1892.34 грн
10+1872.47 грн
25+1651.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2698.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX230N20T. - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX240N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 A, 0.005 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2375.74 грн
30+1502.02 грн
120+1474.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3IXYSMOSFETs PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100FIXYSMOSFET IXFX24N100F 24A 1000V F-Class HiPerRF MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1923.48 грн
30+1200.66 грн
120+1150.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N90QIXYSMOSFETs 24 Amps 900V 0.45 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX250N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX250N10PIXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX25N90IXYSMOSFETs 25 Amps 900V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PIXYSMOSFETs 26 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ptot, Вт = 960, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 6,5 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
30+2059.15 грн
120+1764.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYSMOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N90IXYSMOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2592.60 грн
10+2420.99 грн
30+2348.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q
Код товару: 56425
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2250.33 грн
30+1413.96 грн
60+1324.58 грн
120+1203.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSMOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1493.83 грн
10+1381.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2639.10 грн
30+1684.63 грн
60+1583.01 грн
120+1477.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4088.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3IXYSMOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2553.24 грн
10+1790.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYS08+ QFN
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYSMOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45000 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.41 грн
30+1369.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1674.23 грн
30+1030.94 грн
120+960.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100PIXYSMOSFETs 32 Amps 1000V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50IXYSMOSFETs 32 Amps 500V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1332.17 грн
12+1268.82 грн
25+1234.11 грн
100+1160.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1377.27 грн
10+1311.77 грн
25+1275.89 грн
100+1200.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PIXYSMOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2085.73 грн
30+1313.50 грн
120+1280.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PIXYSMOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1522.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.90 грн
30+583.73 грн
120+554.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; 150ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.67kW
Gate charge: 715nC
Polarisation: unipolar
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Drain current: 360A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4mΩ
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.