Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFX44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.43 грн
30+973.70 грн
120+850.99 грн
510+783.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYS
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYSMOSFETs 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1825.74 грн
10+1810.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1825.74 грн
10+1810.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50IXYSMOSFETs 50 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.85 грн
10+752.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.03 грн
30+661.47 грн
120+575.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2
Код товару: 168486
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100XIXYSMOSFETs 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2889.77 грн
10+2430.10 грн
120+1841.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N60Q2IXYSMOSFETs 52 Amps 600V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50IXYSMOSFET 500V 55A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50FIXYSMOSFET 500V 55A
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX62N25IXYSMOSFETs 62 Amps 250V 0.035 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1450.27 грн
120+1253.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIXYSMOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.39 грн
10+920.12 грн
120+746.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50P
Код товару: 88763
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P
Код товару: 185990
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PIXYSMOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1932.95 грн
10+1254.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1776.44 грн
30+1439.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1856.93 грн
30+1150.35 грн
120+1014.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1041.66 грн
25+993.57 грн
50+953.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX64N60P3 - MOSFET, N-CH, 600V, 64A, PLUS247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3IXYSMOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1167.02 грн
10+781.19 грн
120+669.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.30 грн
30+732.44 грн
120+634.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1988.18 грн
30+1238.00 грн
120+1181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX73N30QIXYSMOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3IXYSMOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1338.57 грн
10+915.36 грн
120+673.77 грн
510+669.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1182.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2340.49 грн
10+1722.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.01 грн
30+817.32 грн
120+736.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3IXYSMOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1677.64 грн
10+1051.11 грн
120+911.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.022W Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N20QIXYSMOSFETs 200V 90A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N20QPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N30IXYSMOSFET 300V 90A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1587.44 грн
10+1165.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N60XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2Power MOSFET 500V, 94A, PLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1644.62 грн
10+1103.51 грн
120+946.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2(транзистор)
Код товару: 48319
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.51 грн
30+985.82 грн
120+862.07 грн
510+795.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]