Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN4R0-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.41 грн
38+20.10 грн
39+19.78 грн
50+18.78 грн
100+17.11 грн
250+16.15 грн
500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN4R0-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.66 грн
10+56.41 грн
100+32.26 грн
500+25.36 грн
1000+22.30 грн
1500+16.93 грн
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YL,115NexperiaMOSFET <=30V N CH TRENCHFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 12 V
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.27 грн
100+35.88 грн
500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.72 грн
38+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A
на замовлення 19215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.57 грн
11+31.41 грн
100+19.58 грн
500+17.00 грн
1000+16.09 грн
1500+14.14 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.54 грн
3000+19.93 грн
4500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
11+76.90 грн
50+62.75 грн
200+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 14762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.76 грн
100+34.73 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
14+31.70 грн
50+27.42 грн
100+26.17 грн
200+25.16 грн
250+24.82 грн
500+23.15 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.19 грн
200+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YSNXPN-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS
Код товару: 185710
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+59.78 грн
1000+51.28 грн
5000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 60189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.97 грн
100+52.46 грн
500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.05 грн
500+51.10 грн
1000+42.57 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaN-Channel 40 V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 39921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.06 грн
10+89.74 грн
50+57.55 грн
100+51.21 грн
1500+34.56 грн
3000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.18 грн
3000+42.59 грн
7500+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.65 грн
3000+33.59 грн
4500+32.23 грн
7500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
10000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.07 грн
3000+45.76 грн
4500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 74A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.09 грн
10+131.40 грн
50+87.09 грн
100+77.34 грн
1500+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.80 грн
100+70.01 грн
500+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.44 грн
100+29.78 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 92A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 92A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 29496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.63 грн
10+96.95 грн
50+79.43 грн
100+57.34 грн
500+45.77 грн
1500+45.71 грн
3000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.18 грн
500+113.97 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+159.86 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+87.22 грн
25+77.99 грн
100+72.12 грн
250+69.61 грн
500+62.06 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.65 грн
100+64.21 грн
500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.00 грн
10+207.28 грн
100+157.69 грн
500+122.28 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX транзистор
Код товару: 204298
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.91 грн
10+58.49 грн
100+31.70 грн
500+21.88 грн
1000+18.32 грн
1500+16.44 грн
3000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.42 грн
100+38.68 грн
500+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
11+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 366A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
18+24.24 грн
100+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.53 грн
10+160.13 грн
100+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.77 грн
3000+50.95 грн
4500+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69.5A; 85W
Mounting: SMD
Case: LFPAK56D; SOT1205
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 85W
Pulsed drain current: 393A
Drain current: 69.5A
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 98A 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.52 грн
10+125.79 грн
100+74.55 грн
500+68.91 грн
1000+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 85W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.99 грн
100+77.33 грн
500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-60PLQNexperiaMOSFET PSMN4R2-60PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.04 грн
10+188.29 грн
50+139.34 грн
100+124.02 грн
250+117.05 грн
500+110.08 грн
1000+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8533 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+177.30 грн
100+143.44 грн
500+119.65 грн
1000+102.45 грн
2000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 80V 170A
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.04 грн
10+156.24 грн
100+95.45 грн
500+82.91 грн
1500+80.12 грн
3000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.26 грн
3000+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+332.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+183.56 грн
50+141.52 грн
100+120.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.97 грн
167+84.99 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.99 грн
10+225.95 грн
50+195.78 грн
100+164.43 грн
250+162.34 грн
500+147.01 грн
1000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.05 грн
100+394.84 грн
500+374.80 грн
1000+340.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.85 грн
10+389.42 грн
100+317.29 грн
500+258.95 грн
1000+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+242.29 грн
100+195.98 грн
500+163.49 грн
1000+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+436.85 грн
37+389.42 грн
100+317.29 грн
500+258.95 грн
1000+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 465A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 6.65mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NexperiaMOSFETs PSMN4R3-30BL/SOT404/D2PAK
на замовлення 30628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.75 грн
10+94.55 грн
100+55.32 грн
500+46.05 грн
800+38.25 грн
2400+37.00 грн
4800+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.27 грн
100+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]