Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemi / FairchildMOSFETs NCH 75V 8.8Mohm
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+162.35 грн
100+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10AN06AO03+ TO
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10N20Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+229.17 грн
1600+188.96 грн
2400+177.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15AonsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+306.90 грн
100+248.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.99 грн
100+92.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.7Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TMONN
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TMonsemiMOSFETs 500V N-CH MOSFET
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.65Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.16 грн
100+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50UTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+91.37 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50UTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB12N50UTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50UTM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50UTM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.34 грн
1600+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 115W
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.06 грн
5+106.51 грн
10+98.96 грн
100+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON-SemiconductorTransistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+127.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.65 грн
1600+87.71 грн
2400+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.73 грн
100+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.46 грн
1600+89.32 грн
2400+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LAfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14AN06LA0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30ONS/FAIMOSFET N-CH 300V 14A 0.29Ohm 140W D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30onsemionsemi UF 300V 290MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.58 грн
121+117.58 грн
148+95.74 грн
250+91.18 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMonsemi / FairchildMOSFETs 300V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.75 грн
10+118.58 грн
25+117.58 грн
100+92.32 грн
250+84.42 грн
500+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMONS/FAIMOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
10+202.21 грн
100+143.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.31 грн
10+237.83 грн
50+186.28 грн
100+159.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50onsemiMOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 9461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50
Код товару: 46102
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+224.89 грн
10+181.99 грн
100+170.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.65 грн
1600+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; 135W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 135W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 58A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0onsemiMOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
10+173.75 грн
100+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7ONS/FAIMOSFET N-CH, 100V, 268A, D2PAK7 (TO-263 7 LD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7onsemiMOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.08 грн
10+385.92 грн
100+284.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7On SemiconductorMOSFET N-CH, 100V, 268A, TO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+263.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7ON Semiconductor
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020S18Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A W/ST 12-24VAC OR VDC RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020VLEaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB 2P 20A BRK FOR 50C AMBIENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020VWEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 20A 50 DEGREE W/O TERM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2020VWD01Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 20A T/M 50C W/KEEPER NUTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]