Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
FQP33N10Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10LFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20
Код товару: 100818
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.28 грн
10+223.08 грн
100+156.02 грн
500+128.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20(транзистор)
Код товару: 86825
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3652Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.35 грн
100+44.15 грн
500+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+49.10 грн
1000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30
Код товару: 173281
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30onsemi / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+49.10 грн
1000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30FAIRCHIL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30onsemiMOSFETs 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+49.10 грн
1000+45.29 грн
10000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50CFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50Consemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080onsemi / FairchildMOSFET CFET 3A / 500V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+107.18 грн
100+72.49 грн
500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50CTFRochester Electronics, LLCDescription: 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 45287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 44754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
10000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60Consemi / FairchildMOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 40533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.22 грн
10+107.87 грн
100+88.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+121.47 грн
100+82.15 грн
500+68.69 грн
1000+53.36 грн
2000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C_Qonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90Fairchild SemiconductorFQP3N90
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+88.96 грн
500+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90Fairchild SemiconductorFQP3N90
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+88.96 грн
500+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 22834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90Fairchild SemiconductorFQP3N90
на замовлення 20245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
10000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N90Fairchild SemiconductorFQP3N90
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20onsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20
Код товару: 173282
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50ONS/FAIMOSFET P-CH QFET 500V 2.7A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50onsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
50+75.13 грн
100+67.47 грн
500+50.70 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50
Код товару: 154101
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Id, A: 2,7 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,9 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 510/18
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+20.90 грн
100+18.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P50onsemi / FairchildMOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+80.18 грн
100+62.34 грн
500+49.98 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
50+88.65 грн
100+79.72 грн
500+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP44N10FonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2
Код товару: 147581
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2onsemiMOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
на замовлення 13330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+111.94 грн
100+87.67 грн
500+80.77 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.09 грн
10+126.45 грн
100+113.56 грн
500+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
50+81.10 грн
100+77.82 грн
500+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
на замовлення 14735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+88.92 грн
100+70.41 грн
500+68.27 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.61 грн
10+117.17 грн
50+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP46N15onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+73.07 грн
100+48.86 грн
500+36.13 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.18 грн
50+168.46 грн
100+160.51 грн
500+145.14 грн
1000+131.23 грн
2000+124.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+140.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.97 грн
50+159.39 грн
100+145.02 грн
500+112.47 грн
1000+104.89 грн
2000+104.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.02 грн
85+168.30 грн
100+160.37 грн
500+145.01 грн
1000+131.10 грн
2000+124.67 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.20 грн
5+198.60 грн
10+173.67 грн
25+145.42 грн
50+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ONS/FAIMOSFET P-CH 60V 47A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06
Код товару: 166999
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]