Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+89.71 грн
100+68.21 грн
500+60.34 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+114.42 грн
100+78.66 грн
500+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+96.85 грн
100+69.72 грн
500+59.99 грн
1000+56.19 грн
1500+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+88.40 грн
100+71.66 грн
500+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.19 грн
3000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.16 грн
100+35.83 грн
500+28.10 грн
1000+25.68 грн
1500+23.54 грн
4500+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.98 грн
500+50.63 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+79.23 грн
100+53.43 грн
500+50.26 грн
1000+48.46 грн
1500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+102.23 грн
100+69.88 грн
500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
10+81.35 грн
100+62.98 грн
500+50.63 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.69 грн
100+68.00 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+105.59 грн
100+62.96 грн
500+50.05 грн
1000+44.04 грн
1500+43.08 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.72 грн
3000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.94 грн
3000+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+167.51 грн
100+102.86 грн
250+102.17 грн
500+89.05 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+155.11 грн
100+108.08 грн
500+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 877-886 дні (днів)
2+210.21 грн
10+186.56 грн
100+130.47 грн
500+107.00 грн
1000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
10+145.54 грн
100+101.38 грн
500+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+123.92 грн
100+85.26 грн
500+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.04 грн
3000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+105.59 грн
100+69.72 грн
500+59.99 грн
1000+58.75 грн
1500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.87 грн
100+59.58 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 481-490 дні (днів)
3+113.56 грн
10+92.09 грн
100+62.34 грн
500+52.81 грн
1000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.16 грн
3000+38.60 грн
4500+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GOn SemiconductorMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+75.16 грн
100+50.38 грн
500+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+65.81 грн
100+46.46 грн
500+39.97 грн
1000+38.52 грн
1500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
11+75.47 грн
100+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.17 грн
500+37.39 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.99 грн
100+56.60 грн
500+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+73.59 грн
100+48.39 грн
500+42.80 грн
1000+35.41 грн
1500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.17 грн
100+55.17 грн
500+37.39 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFET Power MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.8 mohm, -234 A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+169.10 грн
100+118.74 грн
500+97.34 грн
1000+80.77 грн
1500+74.56 грн
4500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+137.08 грн
100+109.10 грн
500+86.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.37 грн
100+74.39 грн
500+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.82 грн
3000+49.24 грн
4500+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+64.54 грн
100+44.36 грн
500+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm a. -10V, -52.1 A
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+63.51 грн
100+40.52 грн
500+32.38 грн
1000+25.47 грн
1500+24.51 грн
3000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.69 грн
3000+27.79 грн
4500+26.73 грн
7500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+90.50 грн
100+52.40 грн
500+41.49 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.92 грн
100+54.45 грн
500+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
12+69.75 грн
100+53.40 грн
500+43.23 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.40 грн
500+43.23 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.91 грн
3000+34.75 грн
4500+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+75.83 грн
100+55.71 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6 mohm SO8FL(Pb-Free)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+80.18 грн
100+50.33 грн
500+39.97 грн
1000+35.55 грн
1500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+75.82 грн
100+43.91 грн
500+34.59 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.27 грн
100+47.62 грн
500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06ConsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.34 грн
3000+34.23 грн
4500+32.86 грн
7500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.90 грн
100+53.26 грн
500+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 31 A, 23 mohm
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+53.67 грн
100+31.20 грн
500+24.71 грн
1000+23.40 грн
1500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 30649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+50.78 грн
100+33.74 грн
500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.91 грн
3000+18.33 грн
4500+18.23 грн
7500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8Lonsemi MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+43.14 грн
1000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+58.78 грн
100+40.72 грн
500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 23 mohm, -34.6 A
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.92 грн
10+56.21 грн
100+32.86 грн
500+25.68 грн
1000+25.27 грн
1500+18.85 грн
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.48 грн
3000+24.08 грн
4500+23.88 грн
7500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+50.73 грн
100+33.07 грн
500+28.44 грн
1000+25.68 грн
1500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 161486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+52.35 грн
100+38.41 грн
500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+56.45 грн
100+32.31 грн
500+25.40 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.88 грн
17+49.93 грн
100+32.78 грн
500+24.08 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]