Продукція > RF4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF4835-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V .13A-HD 3A MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4849-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-72N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4862-000LittelfuseThermal Cut-offs GTCS25-351M-R05-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4866-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-82N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4897-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 350MA-HD 20A SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF48F6000MOYOBGINTELPGA
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF48M00000S300TGSDescription: OSC 48MHZ 3.3V HCMOS//15PF SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 48 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Current - Supply (Max): 30mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Tri-State (Output Enable)
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4900
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4906-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC PPTC-STRAPS-PSW
на замовлення 9972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.54 грн
10+61.69 грн
100+44.67 грн
250+43.56 грн
500+36.93 грн
1000+32.38 грн
5000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4927-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 50MA-HD 40A SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4929-000Littelfuse Inc.Description: PICOASMDCH020F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.083" L x 0.055" W (2.10mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Trip (It): 700 mA
Voltage - Max: 16V
Thickness (Max): 0.031" (0.80mm)
Grade: Automotive
Current - Max: 40 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 750 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 3.4 Ohms
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4929-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 200MA-HD 40A SMD
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
10+46.60 грн
50+33.69 грн
100+31.07 грн
200+27.89 грн
500+25.75 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4965-000LittelfuseLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
6+49.96 грн
10+46.14 грн
50+35.92 грн
100+33.14 грн
250+29.79 грн
500+27.02 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 500MA-HD 20A SMD
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+53.43 грн
50+37.55 грн
100+35.41 грн
200+31.96 грн
500+29.48 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4989-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4990-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4991-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC AHRL RADIAL RESETTABLE FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.25 грн
100+25.68 грн
500+19.88 грн
1000+18.02 грн
3000+15.53 грн
6000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.63 грн
271+52.44 грн
500+50.55 грн
1000+47.15 грн
2500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+45.10 грн
100+29.47 грн
500+21.37 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.87 грн
100+34.83 грн
500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+51.44 грн
100+30.31 грн
500+23.61 грн
1000+21.47 грн
3000+18.71 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4D-18A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+65.50 грн
100+37.14 грн
500+28.65 грн
1000+25.96 грн
3000+14.15 грн
6000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+36.29 грн
504+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.87 грн
424+33.47 грн
500+32.27 грн
1000+30.10 грн
2500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+85.74 грн
100+48.67 грн
500+38.31 грн
1000+32.72 грн
3000+26.51 грн
6000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.96 грн
641+22.13 грн
1000+21.40 грн
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+35.15 грн
829+17.10 грн
1000+15.69 грн
3000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.14 грн
20+41.88 грн
100+28.03 грн
500+21.24 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.96 грн
641+22.13 грн
1000+21.40 грн
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.03 грн
500+21.24 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+29.69 грн
100+16.64 грн
500+12.63 грн
1000+11.32 грн
3000+8.01 грн
6000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+22.52 грн
654+21.71 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.62 грн
100+19.02 грн
500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.38 грн
100+28.30 грн
500+20.48 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+28.00 грн
526+26.99 грн
1000+26.10 грн
2500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+37.97 грн
500+29.45 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN-2020 MOSFET 30V 7.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.18 грн
446+31.85 грн
500+30.69 грн
1000+28.63 грн
2500+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.64 грн
100+31.28 грн
500+22.74 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.53 грн
12+36.06 грн
100+25.43 грн
500+20.19 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
674+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
10+40.73 грн
100+24.37 грн
500+21.06 грн
1000+19.05 грн
3000+15.12 грн
6000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR1Rohm SemiconductorRF4E080BNTR1
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
11+30.49 грн
100+17.40 грн
500+13.25 грн
1000+11.74 грн
3000+10.70 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+26.96 грн
546+25.99 грн
1000+25.14 грн
2500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.89 грн
100+19.89 грн
500+14.21 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
16+27.67 грн
100+18.28 грн
250+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.17 грн
10+53.93 грн
100+35.90 грн
500+28.42 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+58.83 грн
100+33.96 грн
500+26.72 грн
1000+24.16 грн
3000+21.19 грн
6000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.77 грн
291+48.73 грн
500+46.98 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.08 грн
100+39.14 грн
500+28.70 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.45 грн
10+42.16 грн
100+25.40 грн
500+21.26 грн
1000+18.43 грн
3000+16.08 грн
6000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
515+27.55 грн
534+26.55 грн
1000+25.69 грн
2500+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+45.10 грн
100+29.47 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.72 грн
6000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.03 грн
500+17.05 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+32.10 грн
461+30.81 грн
500+29.70 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.48 грн
26+31.73 грн
100+23.03 грн
500+17.05 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 9288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.48 грн
100+22.32 грн
500+16.01 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+37.07 грн
100+20.92 грн
500+15.95 грн
1000+14.36 грн
3000+12.29 грн
6000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+55.34 грн
100+36.56 грн
500+26.74 грн
1000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.67 грн
355+39.99 грн
500+38.55 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.91 грн
425+33.42 грн
426+33.31 грн
505+27.11 грн
1000+23.73 грн
2000+22.68 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+48.01 грн
298+47.72 грн
500+37.99 грн
1000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.03 грн
500+27.00 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+56.53 грн
100+33.90 грн
500+26.51 грн
1000+24.09 грн
3000+21.26 грн
6000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.71 грн
100+38.90 грн
500+28.51 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]