Продукція > RF4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF4825-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V .13A-HD 3A MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4825-000LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - RF4825-000 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, PolySwitch TS, 60 VDC, 130 mA, 260 mA, 2.4 s
Zeit zur Auslösung: 2.4
Thermistormontage: Oberflächenmontage
Nennstrom, max.: 3
Haltestrom: 130
Betriebstemperatur, min.: -40
PPTC-Bauform: -
Auslösestrom: 260
Produktpalette: PolySwitch TS
Nennspannung: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4825-000LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - RF4825-000 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, PolySwitch TS, 60 VDC, 130 mA, 260 mA, 2.4 s
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4828-000LittelfuseGas Discharge Tubes - GDTs / Gas Plasma Arrestors GTCA25-501M-R02-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4835-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V .13A-HD 3A MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4849-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-72N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4862-000LittelfuseThermal Cut-offs GTCS25-351M-R05-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4866-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-82N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4897-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 350MA-HD 20A SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF48F6000MOYOBGINTELPGA
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF48M00000S300TGSDescription: OSC 48MHZ 3.3V HCMOS//15PF SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 48 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Current - Supply (Max): 30mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Tri-State (Output Enable)
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4900
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4906-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC PPTC-STRAPS-PSW
на замовлення 9972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4927-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 50MA-HD 40A SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4929-000Littelfuse Inc.Description: PICOASMDCH020F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.083" L x 0.055" W (2.10mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Trip (It): 700 mA
Voltage - Max: 16V
Thickness (Max): 0.031" (0.80mm)
Grade: Automotive
Current - Max: 40 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 750 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 3.4 Ohms
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4929-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 200MA-HD 40A SMD
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4929-000Littelfuse Inc.Description: PICOASMDCH020F-2
на замовлення 5152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
6+54.80 грн
10+50.50 грн
50+39.33 грн
100+36.29 грн
250+32.62 грн
500+29.59 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4948-000Littelfuse/Commercial Vehicle ProductsDescription: RF4948-000
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4965-000LittelfuseLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 500MA-HD 20A SMD
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
6+54.80 грн
10+50.50 грн
50+39.33 грн
100+36.29 грн
250+32.62 грн
500+29.59 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4989-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4990-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4991-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC AHRL RADIAL RESETTABLE FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF49M15200S102TGSDescription: OSC 49.152MHZ 1.8V 25PPM 15PF HC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF49M15200S302TGSDescription: OSC 49.152MHZ 3.3V 25PPM 15PF HC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.87 грн
100+30.67 грн
500+22.24 грн
1000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.51 грн
271+52.32 грн
500+50.44 грн
1000+47.04 грн
2500+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W
Mounting: SMD
Case: DFN2020-8S
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 23.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.25 грн
500+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4D-18A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+36.21 грн
504+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.79 грн
424+33.40 грн
500+32.20 грн
1000+30.03 грн
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.91 грн
641+22.08 грн
1000+21.36 грн
2500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.91 грн
641+22.08 грн
1000+21.36 грн
2500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+35.08 грн
829+17.07 грн
1000+15.65 грн
3000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+22.47 грн
654+21.66 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.80 грн
100+19.79 грн
500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+27.94 грн
526+26.93 грн
1000+26.04 грн
2500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.08 грн
50+32.50 грн
100+26.99 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN-2020 MOSFET 30V 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+37.89 грн
500+29.38 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.23 грн
520+27.21 грн
1000+26.33 грн
2500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCR1ROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.59 грн
100+32.56 грн
500+23.66 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
674+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
12+36.40 грн
100+25.66 грн
500+20.38 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR1Rohm SemiconductorRF4E080BNTR1
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR1ROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+26.90 грн
546+25.93 грн
1000+25.08 грн
2500+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+32.15 грн
100+20.70 грн
500+14.79 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.16 грн
16+27.93 грн
100+18.45 грн
250+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.44 грн
100+40.74 грн
500+29.87 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+54.43 грн
100+36.23 грн
500+28.68 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.65 грн
291+48.63 грн
500+46.87 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
на замовлення 5683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
515+27.49 грн
534+26.50 грн
1000+25.64 грн
2500+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.87 грн
100+30.67 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+32.03 грн
461+30.74 грн
500+29.64 грн
1000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 9268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.93 грн
100+23.22 грн
500+16.66 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.