Продукція > SQ2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
9000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.98 грн
50+21.10 грн
100+17.43 грн
500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixP-Channel MOSFET, 150 mOhm 2.5A, 60V, 2W SSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 88-97 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 63739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.55 грн
50+20.09 грн
100+16.57 грн
500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 590803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
5000+18.36 грн
10000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.04 грн
14+56.52 грн
100+39.05 грн
500+28.93 грн
1000+24.23 грн
3000+18.41 грн
9000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3VishayVishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 16119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
100+24.59 грн
500+17.73 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.04 грн
9000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 68974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.98 грн
469+30.17 грн
471+30.05 грн
540+25.27 грн
1000+22.33 грн
2000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2nC
Version: ESD
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
10+47.72 грн
25+39.25 грн
50+33.55 грн
100+28.85 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+48.97 грн
292+48.45 грн
415+34.13 грн
419+32.58 грн
540+23.41 грн
1000+19.45 грн
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.08 грн
50+32.50 грн
100+26.99 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 68974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.56 грн
16+49.55 грн
25+48.97 грн
50+46.72 грн
100+30.48 грн
250+28.96 грн
500+22.48 грн
1000+19.45 грн
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 268022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
9000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 485101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.82 грн
50+33.87 грн
100+28.14 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.25 грн
100+28.28 грн
500+20.50 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 169mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 12nC
Application: automotive industry
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayMOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayMOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.08 грн
50+32.50 грн
100+26.99 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.04 грн
9000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 12663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.78 грн
100+28.56 грн
500+20.67 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+15.90 грн
9000+15.22 грн
15000+13.56 грн
21000+13.13 грн
30000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-12S500
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-5D500
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,fixed,TN CF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,RTN M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,48in,RBN CM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 1.2m
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTRASMFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,117in,SM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 3m
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.