Продукція > SQ2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 164791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.90 грн
10+39.10 грн
100+23.90 грн
500+20.27 грн
1000+17.21 грн
3000+14.91 грн
6000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.27 грн
6000+16.22 грн
9000+15.51 грн
15000+13.82 грн
21000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.72 грн
24+31.72 грн
25+31.46 грн
50+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.64 грн
1500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 590803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.04 грн
10+65.06 грн
100+38.60 грн
500+30.38 грн
1000+25.29 грн
3000+16.58 грн
6000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
5000+18.36 грн
10000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.34 грн
500+20.91 грн
1500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.04 грн
14+56.52 грн
100+39.05 грн
500+28.93 грн
1000+24.23 грн
3000+18.41 грн
9000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+40.46 грн
100+26.61 грн
500+20.90 грн
1000+16.23 грн
3000+13.80 грн
9000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.92 грн
50+40.97 грн
100+29.34 грн
500+20.91 грн
1500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3VishayVishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
100+24.59 грн
500+17.73 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+41.02 грн
100+26.61 грн
500+20.90 грн
1000+16.23 грн
3000+13.45 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+48.97 грн
292+48.45 грн
415+34.13 грн
419+32.58 грн
540+23.41 грн
1000+19.45 грн
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 117219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.19 грн
10+39.02 грн
100+22.64 грн
500+17.35 грн
1000+15.68 грн
3000+12.33 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.56 грн
16+49.55 грн
25+48.97 грн
50+46.72 грн
100+30.48 грн
250+28.96 грн
500+22.48 грн
1000+19.45 грн
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.98 грн
500+26.79 грн
1500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
100+24.59 грн
500+17.73 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.33 грн
50+49.58 грн
100+33.98 грн
500+26.79 грн
1500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.98 грн
469+30.17 грн
471+30.05 грн
540+25.27 грн
1000+22.33 грн
2000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 2nC
On-state resistance: 245mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
10+44.53 грн
25+35.98 грн
50+30.44 грн
100+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
6000+13.55 грн
9000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
12+29.08 грн
100+16.23 грн
500+12.47 грн
1000+11.36 грн
3000+9.61 грн
6000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 485101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.13 грн
10+44.23 грн
100+26.20 грн
500+21.88 грн
1000+18.67 грн
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
6000+15.82 грн
9000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.25 грн
100+28.28 грн
500+20.50 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 169mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
12+36.82 грн
50+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.09 грн
10+40.94 грн
100+25.57 грн
500+21.04 грн
1000+18.53 грн
3000+16.51 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayMOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.32 грн
50+40.72 грн
100+31.05 грн
500+20.45 грн
1500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.25 грн
100+28.28 грн
500+20.50 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)VishayMOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.53 грн
100+26.45 грн
500+19.13 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 12663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.69 грн
10+40.46 грн
100+24.04 грн
500+20.14 грн
1000+17.14 грн
3000+16.16 грн
6000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.29 грн
20+42.76 грн
100+28.29 грн
500+20.83 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.55 грн
6000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.79 грн
17+48.69 грн
100+31.78 грн
500+22.72 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.78 грн
100+28.56 грн
500+20.67 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.78 грн
500+22.72 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+15.90 грн
9000+15.22 грн
15000+13.56 грн
21000+13.13 грн
30000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.54 грн
10+36.54 грн
100+22.71 грн
500+18.74 грн
1000+16.93 грн
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-12S500
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-5D500
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,fixed,TN CF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,RTN M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,48in,RBN CM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Antenna Type: Panel
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: RP-BNC
Gain: 3.5dBi
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Features: Cable - 1.2m
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTRASMFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,117in,SM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Power - Max: 20 W
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Antenna Type: Panel
VSWR: 2
Number of Bands: 1
Termination: SMA Male
Gain: 3dBi
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Features: Cable - 3m
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,144in,RS MAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Termination: RP-SMA Male
Gain: 3dBi
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Features: Cable - 3.7m
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Antenna Type: Panel
VSWR: 2
Number of Bands: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,96in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PVNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DDN36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24493P12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLairdAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLairdAntennas Omni,Squint,72in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20738.11 грн
10+20255.16 грн
25+17612.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25-12Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]