Продукція > STH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
10+245.23 грн
50+192.27 грн
100+164.45 грн
500+147.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 922 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.99 грн
3000+128.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3AltechDIN Rail Terminal Blocks DIN Term Blk, Ring Lug M3, Feed-Thru
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH300NH02L-6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH300NH02L-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH300NH02L-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 24V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 223W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.97 грн
10+354.67 грн
50+282.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.48 грн
10+291.72 грн
50+230.31 грн
100+197.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+305.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 180A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+512.37 грн
39+369.63 грн
100+281.80 грн
500+255.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+309.39 грн
50+244.88 грн
100+210.33 грн
500+197.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.03 грн
37+389.03 грн
100+290.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 315W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.41 грн
10+319.14 грн
100+234.48 грн
500+210.57 грн
1000+182.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+462.19 грн
45+321.08 грн
100+235.90 грн
500+211.84 грн
1000+184.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.31 грн
10+238.36 грн
50+186.82 грн
100+159.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.91 грн
10+231.95 грн
50+181.60 грн
100+155.21 грн
500+137.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 180A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 11mOhm typ 200A STripFET
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-6STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH320N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.83 грн
10+235.42 грн
100+168.59 грн
500+152.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH33N20ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH345N6F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH345N6F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 397A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH345N6F7-6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH345N6F7-6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 397A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-6
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH35N10
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH360N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH360N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.21 грн
10+407.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 26268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 26268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH4AltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 50A, 600V, 22-8AWG, 11mm, Gray
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4Altech CorporationDescription: HINGED STUD TERM M4 50A 600V 22-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH400N4F6-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V 180 A STripFET Pwr MOSFET
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH400N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH400N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH400N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH400N4F6-6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V 180 A STripFET Pwr MOSFET
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
10+322.59 грн
50+255.93 грн
100+220.08 грн
500+209.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+391.29 грн
3000+387.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4156
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4180-6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH41C100-6
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4388
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH47N60DM6-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 544-553 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH47N60DM6-2AGSTMicroelectronicsDescription: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH48D50Teledyne RelaysSolid State Relays - Industrial Mount 50A 12-280VAC 3-32VDC Zero Cross
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH4984
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4985
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4988SQ07+
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH49I
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4DTAltech CorporationDescription: CONN TERM BLK FEED THRU 8-22AWG
Packaging: Bulk
Color: Gray
Type: Disconnect
Termination Style: Screw
Number of Levels: 1
Terminal - Width: 11.0mm
Voltage - IEC: 1000V
Voltage - UL: 600V
Wire Gauge or Range - AWG: 8-22 AWG
Wire Gauge or Range - mm²: 1.5-6mm²
Part Status: Active
Current - UL: 35 A
Current - IEC: 41 A
Number of Positions: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH4DTAltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 35A
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4DTFTAltechDIN Rail Terminal Blocks DIN Term Blk, Ring Lug M4, Feed-Thru
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH4DTFTAltech CorporationDescription: TERM BLK 2POS GRAY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH4DTSHAltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 35A, Dual Terminal
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4N150-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4N150-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH4N150-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH4N150-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.