Продукція > UF3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF3C065040K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.69 грн
30+729.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.91 грн
50+678.51 грн
100+633.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+305.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.20 грн
25+382.30 грн
100+330.03 грн
250+285.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 27A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+399.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 15461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.98 грн
10+546.75 грн
100+470.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
30+314.80 грн
120+291.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 190W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.69 грн
30+397.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.39 грн
50+365.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.21 грн
30+1089.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.06 грн
30+1129.73 грн
120+1077.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.53 грн
10+805.46 грн
100+759.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+644.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 11404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1125.17 грн
30+717.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.32 грн
30+800.88 грн
120+718.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 137995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.71 грн
10+513.09 грн
100+434.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 136800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+368.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.32 грн
30+508.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C120400B7S
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+253.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.53 грн
10+379.22 грн
100+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.22 грн
30+394.84 грн
120+335.43 грн
510+290.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+755.53 грн
10+502.27 грн
100+390.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C170400B7S
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 65109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.06 грн
30+437.95 грн
120+372.63 грн
510+304.81 грн
1020+303.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S---SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3SQorvoSiC MOSFETs 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Enclosure material: thermoplastic
Kind of fan: axial
Kind of Bearing: Vapo
Leads: cables
Version: Might&Mini
Type of fan: DC
Impeller material: thermoplastic
Operating temperature: -10...70°C
Fan dimensions: 12x12x3mm
Current rating: 97mA
Power consumption: 0.3W
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Supply voltage: 3V DC
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C3-500-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Power (Watts): 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]