Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN62D0UV-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 470mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.21 грн
100+8.91 грн
500+6.20 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
20+15.18 грн
100+7.43 грн
500+5.81 грн
1000+4.04 грн
2000+3.50 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
30000+2.82 грн
50000+2.53 грн
100000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 12595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.20 грн
20+16.27 грн
100+5.80 грн
1000+3.45 грн
2500+3.24 грн
10000+2.28 грн
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7DiodesMOSFET N-CH 60V 340mA SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 437412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+13.91 грн
100+6.78 грн
500+5.31 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 42863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.75 грн
22+14.85 грн
100+5.25 грн
1000+3.66 грн
3000+2.83 грн
9000+2.42 грн
24000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+3.16 грн
9000+2.62 грн
30000+2.42 грн
75000+2.17 грн
150000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6098+2.32 грн
9000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 6098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 226920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
16+19.44 грн
100+9.83 грн
500+7.53 грн
1000+5.59 грн
2000+4.70 грн
5000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.30 грн
30000+4.06 грн
50000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
15+22.15 грн
100+8.97 грн
1000+5.59 грн
2500+4.83 грн
10000+4.07 грн
20000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.69 грн
6000+4.32 грн
9000+3.74 грн
30000+3.44 грн
75000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.56 грн
55+14.90 грн
100+9.18 грн
500+7.25 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
17+18.82 грн
100+6.77 грн
1000+5.04 грн
3000+4.21 грн
9000+3.24 грн
24000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 115433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
18+17.57 грн
100+8.88 грн
500+6.80 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.18 грн
500+7.25 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 36166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
17+19.21 грн
100+7.32 грн
1000+4.63 грн
2500+4.42 грн
10000+3.80 грн
20000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
20000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.49 грн
42+18.13 грн
100+9.59 грн
250+8.79 грн
500+7.95 грн
1000+5.09 грн
3000+4.97 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.07 грн
20000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.39 грн
500+7.13 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.02 грн
20000+4.68 грн
50000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.42 грн
20000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.63 грн
20000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 27457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.63 грн
100+9.83 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.02 грн
20000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1426+9.94 грн
1440+9.85 грн
1528+9.28 грн
2385+5.73 грн
3000+5.18 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 1426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.90 грн
49+16.51 грн
100+10.39 грн
500+7.13 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4219911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.42 грн
100+10.31 грн
500+7.89 грн
1000+5.86 грн
2000+4.93 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.58 грн
82+9.83 грн
138+5.84 грн
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1066085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
50+5.98 грн
100+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.31 грн
63+12.00 грн
150+4.87 грн
250+4.46 грн
500+4.24 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
на замовлення 223595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.30 грн
52+6.19 грн
100+4.00 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1062000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+3.35 грн
9000+3.29 грн
15000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW; U-DFN1212-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN1212-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.82 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.77 грн
41+19.81 грн
100+10.23 грн
500+8.90 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
6000+5.87 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 17873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
17+19.37 грн
100+8.91 грн
500+8.42 грн
1000+7.46 грн
3000+6.49 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.23 грн
500+8.90 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
23+13.81 грн
100+7.87 грн
500+6.21 грн
1000+5.59 грн
10000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 410mA; 470mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 410mA
Power dissipation: 0.47W
Case: DFN1006-3
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.39nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.23 грн
20000+4.90 грн
50000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 18812537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.85 грн
500+8.33 грн
1000+7.42 грн
2000+6.66 грн
5000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.23 грн
20000+4.90 грн
50000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.10 грн
500+7.70 грн
1000+6.39 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18790000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.41 грн
20000+4.78 грн
30000+4.57 грн
50000+4.06 грн
70000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.72 грн
20000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.49 грн
36+21.07 грн
100+11.39 грн
250+10.44 грн
500+9.92 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.03 грн
50+16.11 грн
100+9.10 грн
500+7.70 грн
1000+6.39 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.07 грн
1200+11.81 грн
1213+11.69 грн
1225+11.16 грн
2246+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBW-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 528mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500µW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBWQ-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 538mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.22 грн
20000+2.82 грн
30000+2.68 грн
50000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.33 грн
20000+2.92 грн
30000+2.77 грн
50000+2.45 грн
70000+2.36 грн
100000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
6000+3.45 грн
9000+3.03 грн
15000+2.77 грн
21000+2.72 грн
30000+2.60 грн
75000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
18+18.26 грн
100+10.08 грн
500+6.21 грн
1000+4.63 грн
3000+3.59 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.11 грн
100+9.49 грн
500+6.61 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
19+17.23 грн
100+8.70 грн
500+5.73 грн
1000+4.42 грн
3000+3.18 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]