Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2672898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.15 грн
100+5.16 грн
500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
на замовлення 32739 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.13 грн
6000+3.61 грн
9000+3.24 грн
15000+2.96 грн
21000+2.95 грн
30000+2.66 грн
75000+2.49 грн
150000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 470mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 470mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.34 грн
100+8.99 грн
500+6.26 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 470mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.00 грн
6000+4.35 грн
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.32 грн
100+7.50 грн
500+5.87 грн
1000+4.08 грн
2000+3.53 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 12595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.01 грн
30000+2.84 грн
50000+2.55 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6098+2.32 грн
9000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 6098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.19 грн
9000+2.64 грн
30000+2.44 грн
75000+2.19 грн
150000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 42863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7DiodesMOSFET N-CH 60V 340mA SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 437412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
22+14.04 грн
100+6.85 грн
500+5.36 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.34 грн
30000+4.10 грн
50000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 226920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+19.62 грн
100+9.93 грн
500+7.60 грн
1000+5.64 грн
2000+4.74 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 115433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.74 грн
100+8.96 грн
500+6.86 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.36 грн
9000+3.77 грн
30000+3.47 грн
75000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 27457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.93 грн
500+6.92 грн
1000+6.15 грн
2000+5.49 грн
5000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.44 грн
42+18.09 грн
100+9.57 грн
250+8.77 грн
500+7.94 грн
1000+5.08 грн
3000+4.96 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.05 грн
20000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
50000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.41 грн
20000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.81 грн
20000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.62 грн
20000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 36166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1426+9.92 грн
1440+9.83 грн
1528+9.26 грн
2385+5.72 грн
3000+5.17 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 1426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B транзистор
Код товару: 221985
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4219911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.61 грн
100+10.40 грн
500+7.97 грн
1000+5.91 грн
2000+4.97 грн
5000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1062000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.38 грн
9000+3.32 грн
15000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
на замовлення 223595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.27 грн
63+11.97 грн
150+4.86 грн
250+4.45 грн
500+4.23 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1066085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
50+6.04 грн
100+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW
Transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW; U-DFN1212-3
Transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN1212-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 17873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.25 грн
25+19.26 грн
50+15.77 грн
100+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.43 грн
36+21.03 грн
100+11.37 грн
250+10.41 грн
500+9.90 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.03 грн
1200+11.79 грн
1213+11.66 грн
1225+11.14 грн
2246+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
20000+4.88 грн
50000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
20000+4.88 грн
50000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 6938307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.91 грн
25+17.36 грн
50+14.21 грн
100+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.70 грн
20000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.55 грн
30000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBW-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 528mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500µW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBWQ-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
на замовлення 670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.13 грн
28+10.84 грн
50+8.83 грн
100+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBWQ-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
на замовлення 670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.85 грн
30000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.36 грн
20000+2.95 грн
30000+2.80 грн
50000+2.47 грн
70000+2.38 грн
100000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+3.48 грн
9000+3.06 грн
15000+2.79 грн
21000+2.75 грн
30000+2.63 грн
75000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]