Продукція > DMN

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMN62D0SFD-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V

на замовлення 203071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.00 грн
18+	17.13 грн
100+	10.77 грн
500+	7.53 грн
1000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0SFD-7

Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0SFD-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V

на замовлення 201000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.23 грн
6000+	5.42 грн
9000+	5.13 грн
15000+	4.51 грн
21000+	4.33 грн
30000+	4.15 грн
75000+	3.70 грн
150000+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 53035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.01 грн
30000+	2.84 грн
50000+	2.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm

на замовлення 61340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 105694 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 96419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.51 грн
20+	15.32 грн
100+	7.49 грн
500+	5.87 грн
1000+	4.08 грн
2000+	3.53 грн
5000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

N-MOSFET 0.38A 60V 0.38W 2Ω DMN62D0U-13 DMN62D0U-7 TDMN62d0u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.50 грн

Мінімальне замовлення: 300 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 7710 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

36+	12.64 грн
44+	9.56 грн
50+	8.39 грн
100+	5.64 грн
500+	4.26 грн
1000+	3.45 грн
3000+	2.38 грн

Мінімальне замовлення: 36 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm

на замовлення 26935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 201462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7
Код товару: 191676

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.79 грн
6000+	3.28 грн
9000+	3.09 грн
15000+	2.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

N-CH 60V 0.38A SOT-23 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm

на замовлення 26935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 17706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.81 грн
28+	10.87 грн
100+	6.78 грн
500+	4.67 грн
1000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0U-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

на замовлення 9405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
14+	22.27 грн
100+	11.24 грн
500+	8.60 грн
1000+	6.38 грн
2000+	5.37 грн
5000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 5207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 3384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.73 грн
23+	13.66 грн
100+	8.57 грн
500+	5.96 грн
1000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-363 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 125839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.88 грн
29+	26.17 грн
100+	9.81 грн
250+	8.97 грн
500+	8.53 грн
1000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1294+	10.94 грн
1307+	10.82 грн
1321+	10.71 грн
2200+	6.20 грн

Мінімальне замовлення: 1294 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-13

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 268288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.49 грн
13+	23.47 грн
100+	11.86 грн
500+	9.86 грн
1000+	7.67 грн
2000+	6.87 грн
5000+	6.61 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.58 грн
30000+	6.26 грн
50000+	5.32 грн
100000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.89 грн
6000+	6.36 грн
9000+	5.72 грн
30000+	5.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
16+	19.10 грн
100+	11.44 грн
500+	9.94 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UDWQ-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 140000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.81 грн
20000+	3.34 грн
30000+	3.18 грн
50000+	2.81 грн
70000+	2.70 грн
100000+	2.60 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 141878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.95 грн
24+	12.91 грн
100+	8.06 грн
500+	5.58 грн
1000+	4.94 грн
2000+	4.40 грн
5000+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 2672898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.38 грн
25+	12.15 грн
100+	5.16 грн
500+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 2670000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.13 грн
6000+	3.61 грн
9000+	3.24 грн
15000+	2.96 грн
21000+	2.95 грн
30000+	2.66 грн
75000+	2.49 грн
150000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-7

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W

на замовлення 32739 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 366000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4077+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 4077 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-13

MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 470mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-7

MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 470mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.00 грн
6000+	4.35 грн
9000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 470mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 12240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.30 грн
22+	14.34 грн
100+	8.99 грн
500+	6.26 грн
1000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.51 грн
20+	15.32 грн
100+	7.50 грн
500+	5.87 грн
1000+	4.08 грн
2000+	3.53 грн
5000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.01 грн
30000+	2.84 грн
50000+	2.55 грн
100000+	2.13 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 12595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-13

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 437412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.16 грн
22+	14.04 грн
100+	6.85 грн
500+	5.36 грн
1000+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A

на замовлення 42863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6098+	2.32 грн
9000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 6098 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.57 грн
6000+	3.19 грн
9000+	2.64 грн
30000+	2.44 грн
75000+	2.19 грн
150000+	1.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.51 грн
9000+	2.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UW-7

MOSFET N-CH 60V 340mA SOT-323 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.65 грн
19+	16.00 грн
25+	13.25 грн
50+	10.81 грн
100+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-13

High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

на замовлення 19500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

на замовлення 3276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 115433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.87 грн
18+	17.74 грн
100+	8.96 грн
500+	6.86 грн
1000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D0UWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.74 грн
6000+	4.36 грн
9000+	3.77 грн
30000+	3.47 грн
75000+	2.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.41 грн
20000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 36166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.81 грн
20000+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.62 грн
20000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.01 грн
20000+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 8179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1426+	9.92 грн
1440+	9.83 грн
1528+	9.26 грн
2385+	5.72 грн
3000+	5.17 грн
6000+	3.86 грн

Мінімальне замовлення: 1426 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V

на замовлення 27457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.65 грн
20+	15.77 грн
100+	9.93 грн
500+	6.92 грн
1000+	6.15 грн
2000+	5.49 грн
5000+	4.71 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 8179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	24.44 грн
42+	18.09 грн
100+	9.57 грн
250+	8.77 грн
500+	7.94 грн
1000+	5.08 грн
3000+	4.96 грн
6000+	3.86 грн

Мінімальне замовлення: 31 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.05 грн
20000+	4.71 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.01 грн
20000+	4.67 грн
50000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFB-7B транзистор
Код товару: 221985

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN62D1LFD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V

на замовлення 4210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.63 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.