Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT60GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 60A, TO-247, RoHS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+944.73 грн
10+841.53 грн
25+697.24 грн
50+670.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 100A TO247
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 275 nC
Switching Energy: 3.4mJ
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/395ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.77 грн
10+719.67 грн
25+640.80 грн
100+517.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60BRG
Код товару: 53841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60BRGMICROSEMITO247/Thunderbolt IGBT APT60GT60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRMicrochip Technology / AtmelIGBT Modules FG, IGBT, 600V, 60A, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRMicrochip TechnologyDescription: IGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 93 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 378 W
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRD
Код товару: 42011
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDAPT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDQ2APT48A/600V/IGBT/1U
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDQ3Microchip Technology / AtmelIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
1+4123.64 грн
10+3747.96 грн
25+3112.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 105A 379W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 379 W
Current - Collector Cutoff (Max): 330 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60GT60JRDXAPTMODULE
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M25JVRAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M60JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6377.71 грн
100+4984.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M60JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M60JFLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, 0.060_OHM, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M60JLLMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M60JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7003.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75APTMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JFLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JVFRMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 5 600 V 75 mOhm SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2FLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2FLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264 MAX, RoHS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2FLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 893W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3743.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2LLGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23158.17 грн
10+16982.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2LLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 600 V 75 mOhm TO-264 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75L2LLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 893W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3743.37 грн
100+2925.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M75PVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M80JVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M80JVRMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M80L2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M80L2VRGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60M90JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT60N60
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1404.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSGMICROSEMID3PAK 3/60 A, 600 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT60N60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSG/TRMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268, TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSG/TRMICROSEMID3PAK/Super Junction MOSFET APT60N60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60SCSG/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B2CT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B2CTGMICROSEMITMAX/60 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT60S20
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B2CTGMicrosemiSchottky, 75A, 200V, Vf=0.9V Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B2CTGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Center Tap Rectifier 200 V 60 A TO-247 MAX
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.80 грн
500+508.09 грн
1000+430.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20B2CTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 200V 75A TMAX
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
100+461.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20BGMicrochipDIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20BGMicrochip TechnologyRectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.39 грн
100+251.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
100+201.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20SGMicrochip TechnologyRectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.09 грн
500+341.37 грн
1000+290.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20SG/TRMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268 - Tape & Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT60S20SG/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90BMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 900V 117A 500W TO247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90B2D30Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAX
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+980.17 грн
10+965.37 грн
100+771.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90B2D30MICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI APT64GA90B2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90B2D30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 117A TO247
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 193 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Part Status: Active
Gate Charge: 162 nC
Test Condition: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1192µJ (on), 1088µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/131ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90B2SC30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT MOS 8 COMBI 900 V 64 A T
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90B2SC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90LD30Microsemi Power Products GroupDescription: IGBT 900V 117A 500W TO-264
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90LD30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT64GA90LD30Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60B2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1254.00 грн
100+1067.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/91ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1206.11 грн
100+774.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JMicrosemiIGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JDF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JDQ2MICROSEMISOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 130A 431W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1945.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GMICROSEMITO264-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT65GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 198A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 198 A
Part Status: Active
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Input Type: Standard
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1945.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60L2DQ2GQMicrochip TechnologyIGBTs FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1433.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60B2MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60B2MicrosemiTrans MOSFET N-CH Si 600V 70A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1865.43 грн
10+1679.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT66F60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]