Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT60M60JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60M60JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60M60JLL | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75 | APT | MODULE | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JFLL | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JLL | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JVFR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 5 600 V 75 mOhm SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75L2FLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60M75L2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Power Dissipation (Max): 893W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60M75L2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75L2FLLG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264 MAX, RoHS | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75L2LL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60M75L2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Power Dissipation (Max): 893W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60M75L2LLG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60M75L2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 600 V 75 mOhm TO-264 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M75PVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60M80JVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60M80JVR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M80L2VR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60M80L2VRG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60M90JN | APT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60BCSG | MICROSEMI | TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT60N60 кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG | MICROSEMI | D3PAK 3/60 A, 600 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT60N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG/TR | MICROSEMI | D3PAK/Super Junction MOSFET APT60N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG/TR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60N60SCSG/TR | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268, TAPE & REEL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60S20B2CT | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V 75A TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Center Tap Rectifier 200 V 60 A TO-247 MAX | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20B2CTG | Microsemi | Schottky, 75A, 200V, Vf=0.9V Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20B2CTG | MICROSEMI | TMAX/60 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT60S20 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20BG | Microchip | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-247 | на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20S | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT60S20SG | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: D3Pak Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT60S20SG | Microchip Technology | Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268 | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20SG/TR | Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268 - Tape & Reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT60S20SG/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: D3Pak Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 64 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B2D30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/131ns Switching Energy: 1192µJ (on), 1088µJ (off) Test Condition: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 162 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 117 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 193 A Power - Max: 500 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B2D30 | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI APT64GA90B2 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B2D30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B2SC30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT MOS 8 COMBI 900 V 64 A T Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90B2SC30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90LD30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90LD30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT64GA90LD30 | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60B2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT65GP60B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60B2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/91ns Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off) Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Power - Max: 833 W | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT65GP60J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60J | Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60JDF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT65GP60JDQ2 | MICROSEMI | SOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60JDQ2 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60JDQ2 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60L2DF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT65GP60L2DQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60L2DQ2G | MICROSEMI | TO264-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT65GP60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT65GP60L2DQ2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT65GP60L2DQ2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT65GP60L2DQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 198A Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off) Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 198 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Power - Max: 833 W | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT65GP60L2DQ2GQ | Microchip Technology | IGBTs FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66F60B2 | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66F60B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66F60B2 | Microsemi | Trans MOSFET N-CH Si 600V 70A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT66F60L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66F60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60B2 | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60B2 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60B2 | MICROSEMI | T-MAX/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT66M60 кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT66M60L | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT6784 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| APT68GA60B Код товару: 133965
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT68GA60B | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 298 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 121 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A Power - Max: 520 W | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT68GA60B | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT68GA60B2D40 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |