Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+39.70 грн
100+27.48 грн
500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 66A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.92 грн
10+34.29 грн
100+19.30 грн
500+17.70 грн
1000+15.05 грн
1500+12.61 грн
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+54.87 грн
50+40.70 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN6R1-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLD115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R1-25MLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 60A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.41 грн
10+40.46 грн
100+23.41 грн
500+18.05 грн
1500+14.35 грн
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.10 грн
100+25.47 грн
500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+42.49 грн
100+29.44 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
13+65.43 грн
100+43.89 грн
500+33.29 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-30YLDXNexperiaMOSFET PSMN6R1-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
500+33.29 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
10+94.29 грн
100+72.67 грн
500+57.21 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNexperiaMOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A
на замовлення 13542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.63 грн
10+96.95 грн
100+56.78 грн
500+45.64 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+97.07 грн
100+69.12 грн
500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.67 грн
500+57.21 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120ESQNexperiaMOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120PSNexperiaMOSFET N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+134.95 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R3-120PSNexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+445.52 грн
100+423.13 грн
500+400.73 грн
1000+364.83 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R4-30MLD,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R4-30MLDXNexperiaN-Channel 30V 66A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R4-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 66A
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+38.46 грн
100+21.60 грн
500+16.58 грн
1000+14.07 грн
1500+12.82 грн
3000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.36 грн
100+21.59 грн
500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+39.93 грн
100+26.03 грн
500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
14+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN6R5-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.18 грн
10+41.02 грн
100+22.36 грн
500+18.88 грн
1000+16.02 грн
1500+14.28 грн
3000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-30MLDXNexperiaMOSFET PSMN6R5-30MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+223.53 грн
500+147.94 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.15 грн
10+164.92 грн
50+126.61 грн
100+107.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN6R5-80BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.34 грн
10+309.69 грн
100+223.53 грн
500+147.94 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.10 грн
1600+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R5-80BS - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.46 грн
10+169.06 грн
100+117.05 грн
250+107.99 грн
500+97.54 грн
1000+84.30 грн
2500+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PSNXPMOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R7-40MLD/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLD/2XNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT1210/MLFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.01 грн
10+48.55 грн
100+27.45 грн
500+17.49 грн
1000+14.91 грн
1500+13.59 грн
3000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.42 грн
50+40.21 грн
100+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.40 грн
500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.98 грн
14+62.18 грн
100+40.40 грн
500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.54 грн
10+59.69 грн
100+34.07 грн
500+26.75 грн
1000+23.55 грн
1500+20.76 грн
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.80 грн
3000+23.77 грн
4500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.59 грн
100+38.19 грн
500+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.89 грн
10+121.11 грн
100+84.54 грн
500+62.50 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R8-40HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 40V 40A
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.26 грн
10+115.38 грн
100+69.53 грн
500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.54 грн
500+62.50 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+94.05 грн
100+74.84 грн
500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 238W
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.3 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 100378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+242.83 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.67 грн
226+62.63 грн
250+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.53 грн
10+174.67 грн
25+115.66 грн
100+107.99 грн
250+103.12 грн
1500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 238W
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.3 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.54 грн
500+190.94 грн
1000+180.33 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+56.85 грн
100+53.68 грн
250+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+111.85 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.07 грн
1600+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.25 грн
10+226.78 грн
100+172.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+163.56 грн
50+125.87 грн
100+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN7R0-100BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Packaging: Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100ES,127NexperiaMOSFET Single NChannel 100V 475A 269W 12mOhms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.97 грн
500+168.54 грн
1000+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]