Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT8065BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVFRGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVRAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065SVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8065SVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8067HVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BNMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BNAPT08+ QFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BN
Код товару: 127466
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BNGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2165.94 грн
10+1949.54 грн
50+1793.61 грн
100+1642.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 75 Ohm TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1126.75 грн
100+960.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT8075BVRGMicrochip Technology / AtmelMOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247, RoHS
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.59 грн
10+1232.91 грн
100+987.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT8090BN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80F60JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, SOT-227
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80F60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60BMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 143A 625W TO247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60BMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 143A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60LD40Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+902.85 грн
100+768.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA60LD40MICROSEMITO-264/143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT80GA60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90BMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A TO247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.20 грн
100+584.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+918.96 грн
25+866.93 грн
100+666.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90LD40Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90LD40MICROSEMITO-264 APT80GA90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90LD40Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 145A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90SMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90SMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 145A 625W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90SMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GA90SMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A D3PAK
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.74 грн
100+648.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TMAX
Power - Max: 1041 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 151 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 462 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JDF3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 151 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 462 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JDQ3MICROSEMIISOTOP/POWER MOS 7 IGBT APT80GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 600V 151A 462000mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 80 A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80M50JVR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80M60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 8 600 V 80 A SOT-227
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3691.14 грн
10+3566.96 грн
100+2849.04 грн
250+2826.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT80M60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80M60JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 600V, SOT-227
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT80M60JMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT80M60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT80SM120BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80SM120JMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80SM120SMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT80SM120SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 84A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 84A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT84F50LMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 500 V 84 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT84M50B2Microchip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.47 грн
10+1392.49 грн
100+1112.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT84M50B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT84M50LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT84M50LMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 170A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: T-MAX™
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 660 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120B2MICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT85GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2210.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JD60MICROSEMISOT-227/Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JD60Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2645.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JD60Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120JD60Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120L
Код товару: 172611
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120LMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120LMICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT85GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120LMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 660 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 962 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8DQ60KCTGMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ULT FAST 600V 8A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 8 A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8DQ60KGMicrochip Technology / AtmelRectifiers FRED DQ 600 V 8 A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8M100BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8M100BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1000 V 8 A TO-247
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8M100BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
100+214.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT8M100BMicrochip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT8M80KMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT90DR160HJMicrochip TechnologyDiode Modules PM-DIODE-RECTIFIER-SOT227
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1629.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT90DR160HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT-227
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Supplier Device Package: SOT-227
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 90 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT90GF100JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT94N60L2C3APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT94N60L2C3G
Код товару: 181897
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT94N60L2C3GMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2001.41 грн
250+1704.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]