Продукція > BUK

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BUK9K25-40RAX

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.56 грн
10+	86.98 грн
100+	57.51 грн
500+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K25-40RAX

Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

372+	38.19 грн
375+	37.80 грн
379+	37.42 грн
383+	35.73 грн
387+	32.75 грн
500+	30.97 грн
1000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 372 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K25-40RAX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.37 грн
10+	77.93 грн
100+	52.19 грн
500+	38.63 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E
Код товару: 215729

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-1205
Uds,V: 100 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 25,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2727/54
Примітка: Dual N-channel TrenchMOS logic level FET
Монтаж: SMD

у наявності: 25 шт

25 шт - склад

1+	174.00 грн

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

MOSFETs BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.83 грн
10+	95.27 грн
100+	54.47 грн
500+	43.15 грн
1000+	38.38 грн
1500+	32.52 грн
3000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.18 грн
500+	63.12 грн
1000+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.79 грн
10+	130.47 грн
100+	86.18 грн
500+	63.12 грн
1000+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 118A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K29-100E/1X

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K30-80EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.22 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K30-80EX

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K30-80EX

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K30-80EX

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.86 грн
10+	101.62 грн
100+	59.99 грн
500+	47.63 грн
1000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K30-80EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K31-100LX

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.25 грн
10+	97.65 грн
100+	56.47 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K31-100LX

Nexperia USA Inc.

Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.32 грн
10+	99.92 грн
50+	75.53 грн
100+	63.50 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K31-100LX

Description: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0317ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.26 грн
10+	140.14 грн
100+	94.23 грн
500+	70.08 грн
1000+	57.30 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K31-100LX

Nexperia USA Inc.

Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K31-100LX

Description: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.23 грн
500+	70.08 грн
1000+	57.30 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	59.08 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 19A; Idm: 106A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	59.24 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.33 грн
10+	96.18 грн
100+	65.55 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	17.62 грн
44+	17.34 грн
100+	16.46 грн
250+	14.99 грн
500+	14.16 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 43 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

MOSFETs SOT1205 100V 26A N-C H

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.28 грн
10+	82.56 грн
100+	48.12 грн
500+	37.97 грн
1000+	33.14 грн
1500+	32.86 грн
3000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K32-100EX

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

818+	17.34 грн
831+	17.07 грн
845+	16.79 грн
859+	15.93 грн
1000+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 818 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-100LX

Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.16 грн
10+	109.53 грн
100+	73.21 грн
500+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-100LX

Nexperia USA Inc.

Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-100LX

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.84 грн
10+	77.17 грн
100+	44.32 грн
500+	35.14 грн
1000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-100LX

Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.21 грн
500+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-100LX

Nexperia USA Inc.

Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.14 грн
10+	78.08 грн
50+	58.56 грн
100+	49.02 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.64 грн
10+	55.72 грн
100+	36.80 грн
500+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.64 грн
10+	91.01 грн
100+	62.66 грн
500+	47.04 грн
1000+	31.69 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1454 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.51 грн
15+	50.95 грн
25+	50.44 грн
100+	43.54 грн
250+	39.91 грн
500+	35.21 грн
1000+	34.32 грн
3000+	33.43 грн
6000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.95 грн
10+	68.04 грн
100+	38.94 грн
500+	30.65 грн
1000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

852+	41.64 грн
1000+	39.32 грн

Мінімальне замовлення: 852 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	50.95 грн
282+	50.44 грн
314+	45.15 грн
318+	43.10 грн
500+	36.68 грн
1000+	34.32 грн
3000+	33.43 грн
6000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 279 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.66 грн
500+	47.04 грн
1000+	31.69 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

324+	43.86 грн
325+	43.71 грн
342+	41.49 грн
346+	39.61 грн
500+	36.53 грн
1000+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 324 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.12 грн
500+	46.52 грн
1000+	40.52 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 38W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	35.12 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.43 грн
18+	43.86 грн
25+	43.71 грн
100+	40.01 грн
250+	36.68 грн
500+	35.06 грн
1000+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A

на замовлення 17136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.03 грн
1500+	28.65 грн
24000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	75.34 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.67 грн
12+	69.18 грн
100+	52.35 грн
500+	45.84 грн
1000+	39.76 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.14 грн
10+	53.02 грн
100+	43.27 грн
500+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	42.79 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 90A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K35-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	53.75 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21A 53W Surface Mount LFPAK56D Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 15A; Idm: 83A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	80.54 грн
10+	67.31 грн
25+	63.98 грн
100+	61.49 грн
250+	59.83 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.25 грн
10+	42.40 грн
100+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.41 грн
28+	27.24 грн
29+	26.97 грн
100+	24.76 грн
250+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E,115

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.28 грн
10+	80.18 грн
100+	45.56 грн
500+	35.83 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K45-100E115

Description: NOW NEXPERIA BUK9K45-100E - DUAL
Part Status: Active
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K49-80LX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.91 грн
10+	83.16 грн
50+	62.52 грн
100+	52.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K49-80LX

Description: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.04 грн
500+	57.21 грн
1000+	44.94 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K49-80LX

BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K49-80LX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K49-80LX

Description: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.83 грн
10+	115.98 грн
100+	78.04 грн
500+	57.21 грн
1000+	44.94 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

MOSFETs BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

675+	52.58 грн
1000+	48.48 грн

Мінімальне замовлення: 675 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.12 грн
10+	41.73 грн
100+	27.19 грн
500+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.11 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	18.57 грн
3000+	16.35 грн
4500+	15.57 грн
7500+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.99 грн
17+	48.48 грн
100+	40.11 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60E,115

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	28.83 грн
100+	28.75 грн
500+	26.62 грн
1000+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 28 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

424+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 424 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 11A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.88 грн
20+	38.05 грн
25+	37.94 грн
50+	36.21 грн
100+	32.26 грн
250+	30.66 грн
500+	29.72 грн
1000+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.75 грн
500+	26.62 грн
1000+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.45 грн
10+	80.18 грн
100+	47.29 грн
500+	36.59 грн
1000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K52-60RAX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.94 грн
10+	70.30 грн
100+	47.09 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K5R1-30EX

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 329A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 329A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K5R1-30EX

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	61.81 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K5R1-30EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K5R1-30EX

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.24 грн
10+	117.50 грн
100+	69.72 грн
500+	57.02 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9K5R1-30EX

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54 [ Наступна Сторінка >> ]