Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK9K30-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K30-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0317ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K31-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+100.84 грн
50+76.23 грн
100+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.63 грн
50+59.85 грн
100+50.18 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 26A N-C H
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 19A; Idm: 106A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.59 грн
44+17.30 грн
100+16.42 грн
250+14.96 грн
500+14.13 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
818+17.30 грн
831+17.03 грн
845+16.76 грн
859+15.89 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+78.80 грн
50+59.10 грн
100+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60ENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.82 грн
50+43.02 грн
100+35.86 грн
500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.39 грн
15+50.84 грн
25+50.33 грн
100+43.44 грн
250+39.82 грн
500+35.13 грн
1000+34.24 грн
3000+33.35 грн
6000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+41.54 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.84 грн
282+50.33 грн
314+45.05 грн
318+43.01 грн
500+36.60 грн
1000+34.24 грн
3000+33.35 грн
6000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.76 грн
325+43.61 грн
342+41.40 грн
346+39.52 грн
500+36.44 грн
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+62.12 грн
50+46.28 грн
100+38.64 грн
500+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 90A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.32 грн
18+43.76 грн
25+43.61 грн
100+39.92 грн
250+36.60 грн
500+34.99 грн
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 38W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A
на замовлення 17136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100ENexperiaMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21A 53W Surface Mount LFPAK56D Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.34 грн
28+27.18 грн
29+26.91 грн
100+24.70 грн
250+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 15A; Idm: 83A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.28 грн
10+67.93 грн
25+64.58 грн
100+62.06 грн
250+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.99 грн
50+48.50 грн
100+40.52 грн
500+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9K45-100E - DUAL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+83.93 грн
50+63.10 грн
100+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K49-80LXNexperia BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+52.46 грн
1000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.13 грн
4500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.95 грн
50+31.67 грн
100+26.28 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.38 грн
50+38.83 грн
100+32.32 грн
500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.79 грн
20+37.96 грн
25+37.86 грн
50+36.13 грн
100+32.19 грн
250+30.59 грн
500+29.65 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 11A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.20 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 329A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 329A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R1-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 305A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 305A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNexperiaMOSFETs BUK9K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.63 грн
100+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K5R6-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K61-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K61-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K61-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.02 грн
50+49.98 грн
100+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K61-100LXNexperiaMOSFETs BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K61-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0601ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K6R2-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K6R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3281pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.20 грн
3000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K6R2-40E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]