Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+93.05 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.81 грн
10+225.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.58 грн
10+167.82 грн
100+119.75 грн
500+93.05 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 86468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBF
Код товару: 34497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 15268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.28 грн
10+277.55 грн
25+274.81 грн
100+216.15 грн
250+198.20 грн
500+160.54 грн
1000+148.64 грн
3000+148.23 грн
6000+136.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.45 грн
10+169.52 грн
100+118.64 грн
500+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+311.20 грн
50+196.33 грн
250+137.68 грн
1000+107.42 грн
2000+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.64 грн
45+318.09 грн
50+314.47 грн
100+247.47 грн
200+216.23 грн
500+183.83 грн
1000+170.40 грн
2000+160.08 грн
4800+155.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.33 грн
250+137.68 грн
1000+107.42 грн
2000+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2PBFIOR2007
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC
на замовлення 6161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBF
Код товару: 98275
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET MP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.66 грн
10+199.95 грн
100+139.66 грн
500+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.89 грн
10+159.00 грн
100+110.33 грн
250+101.95 грн
500+92.87 грн
1000+78.91 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBF
Код товару: 124996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.62 грн
96+149.03 грн
97+147.51 грн
98+140.88 грн
101+126.48 грн
250+120.20 грн
500+115.91 грн
1000+114.78 грн
3000+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.00 грн
10+175.06 грн
25+143.84 грн
100+122.90 грн
250+115.91 грн
500+108.93 грн
1000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.62 грн
10+149.03 грн
25+147.51 грн
50+140.88 грн
100+126.48 грн
250+120.20 грн
500+115.91 грн
1000+114.78 грн
3000+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.47 грн
10+240.10 грн
100+171.08 грн
500+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFTRInternational RectifierDescription: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+116.04 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.64 грн
250+101.02 грн
1000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
500+126.39 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+225.66 грн
50+146.64 грн
250+101.02 грн
1000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF
Код товару: 204365
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.22 грн
10+113.23 грн
100+94.97 грн
500+74.02 грн
1000+68.99 грн
4800+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 80400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
500+126.39 грн
1000+116.67 грн
10000+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.46 грн
10+119.82 грн
100+82.59 грн
500+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]