Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN9R0-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+49.97 грн
50+36.80 грн
100+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.53 грн
4500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperiaMOSFETs PSMN9R3-60HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 14157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+94.88 грн
50+71.76 грн
100+60.34 грн
500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.50 грн
50+112.39 грн
100+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
500+207.44 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
500+207.44 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
500+207.44 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R5-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 89 A, 0.00816 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00816ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00816ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN9R5-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 52.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1444+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 1444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.21 грн
50+27.35 грн
100+22.66 грн
500+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs N-channel 30 V 9.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.36 грн
4500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN9R8-100YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.03 грн
50+65.62 грн
100+55.08 грн
500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+32.83 грн
100+22.49 грн
500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9RO-25YLC115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNexperiaMOSFETs PSMNR51-25YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR51-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNexperia USA Inc.Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+205.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNexperia USA Inc.Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.72 грн
10+343.43 грн
50+273.19 грн
100+235.17 грн
500+226.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 500A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Pulsed drain current: 2237A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 500 A
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR56-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR56-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12137 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR56-25YLEXNexperiaMOSFETs PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR56-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+170.81 грн
50+132.09 грн
100+112.27 грн
500+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHXNexperiaMOSFETs PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR60-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR60-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR60-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR60-25YLHXNexperiaMOSFETs PSMNR60-25YLH/SOT669/LFPAK
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR60-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.68 грн
50+128.01 грн
100+108.73 грн
500+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEXNexperiaMOSFETs PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+163.71 грн
100+126.94 грн
500+102.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4852 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4852 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-30YLHXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.18 грн
10+294.52 грн
50+232.26 грн
100+199.17 грн
500+183.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+166.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 425A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40YSNXNexperia USA Inc.Description: PSMNR70-40YSN/SOT1023/LFPAK56E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81Ohm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14307 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40YSNXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 320A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
10+188.55 грн
100+132.49 грн
500+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR89-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR89-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]