Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+114.31 грн
1000+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+57.61 грн
9600+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+57.61 грн
9600+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6797MTRPBF - IRF6797 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF67MA-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET DirectFET
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STRPBFInternational RectifierDescription: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
на замовлення 35276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.27 грн
25+50.92 грн
50+48.70 грн
100+43.54 грн
250+41.60 грн
500+40.51 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STRPBFInternational RectifierDescription: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 17nC
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6893MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6893MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A MX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6893MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V X2.0 DLM Sync FETKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6894MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.43 грн
10+93.69 грн
25+93.54 грн
50+90.05 грн
100+79.87 грн
250+76.51 грн
500+73.36 грн
1000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 26nC
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBF
Код товару: 101384
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBFInternational RectifierDescription: 25V 999A DIRECTFET-LV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6898MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6898MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6898MTR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6898MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6898 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5630 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 214A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6898MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.1mOhms 35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7007D1TR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7007TR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7021TRIR04+ SOP-8
на замовлення 22776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7050TRIR03+
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710
Код товару: 123225
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SiliconixN-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710FAIRCHILDIRF710
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
10000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710HARRISIRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101
Код товару: 29154
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF
Код товару: 30739
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 320/15
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.00 грн
100+10.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 320 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRIOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7102Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7102Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7102IOR09+ SO-8
на замовлення 8891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7102TRIR09+
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103International Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103IOR09+ SO-8
на замовлення 123948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103/IRIR08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103PBF                    IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QInternational RectifierMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103Q
Код товару: 163741
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QTRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]