Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.35 грн
19+16.75 грн
100+9.18 грн
500+6.90 грн
1000+5.52 грн
2500+5.25 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.10 грн
6000+5.29 грн
15000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.95 грн
500+7.48 грн
1500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
14+23.66 грн
100+12.15 грн
500+8.08 грн
1000+6.14 грн
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+23.48 грн
100+13.31 грн
500+8.27 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.51 грн
50+17.32 грн
100+10.95 грн
500+7.48 грн
1500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.56A; Idm: 2.5A; 0.4W; SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs N-CH MOSFET 12V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
17+19.77 грн
100+10.84 грн
500+8.49 грн
1000+7.46 грн
2500+6.56 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 15172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.13 грн
500+6.36 грн
1000+5.65 грн
2000+5.05 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN11M1UCA14-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3308pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X4-DSN3027-14
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN11M2UCA14-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+59.94 грн
100+36.38 грн
500+29.96 грн
1000+27.13 грн
3000+22.99 грн
6000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.65 грн
100+40.18 грн
500+29.46 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.93 грн
6000+23.16 грн
9000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.85 грн
20000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.18 грн
52+15.79 грн
100+9.91 грн
500+6.86 грн
1000+5.01 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 23779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.29 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
2000+4.55 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
на замовлення 15467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+13.97 грн
100+7.66 грн
500+5.73 грн
1000+4.49 грн
5000+3.87 грн
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.91 грн
500+6.86 грн
1000+5.01 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+99.87 грн
100+67.25 грн
500+42.25 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.25 грн
500+42.25 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+59.07 грн
100+34.10 грн
500+26.51 грн
1000+23.13 грн
2500+22.30 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
14+59.92 грн
100+39.79 грн
500+26.47 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+55.42 грн
100+38.40 грн
500+30.11 грн
1000+25.62 грн
2000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.79 грн
500+26.47 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+43.15 грн
100+28.28 грн
500+20.54 грн
1000+18.61 грн
2000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.43 грн
10+45.33 грн
100+26.92 грн
500+22.51 грн
1000+19.12 грн
2500+18.09 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750SDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+18.47 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 147502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.78 грн
100+22.08 грн
500+16.18 грн
1000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
14+23.98 грн
100+15.60 грн
500+11.46 грн
3000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.59 грн
21+40.19 грн
100+26.09 грн
500+18.47 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.01 грн
6000+11.89 грн
9000+11.04 грн
30000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+77.17 грн
100+44.11 грн
500+35.00 грн
1000+31.13 грн
3000+28.30 грн
6000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN14M8UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+35.01 грн
100+20.09 грн
500+15.81 грн
1000+13.46 грн
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+80.98 грн
100+47.08 грн
500+37.14 грн
1000+33.96 грн
2500+30.44 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 482282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+62.22 грн
100+43.55 грн
500+33.03 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+40.49 грн
100+24.37 грн
500+19.67 грн
1000+17.74 грн
2500+13.81 грн
10000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.25 грн
100+27.52 грн
500+19.89 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 14V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.72 грн
12+71.20 грн
100+47.68 грн
500+32.46 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.68 грн
500+32.46 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M5UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718
Supplier Device Package: X4-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.90 грн
6000+16.72 грн
9000+15.97 грн
15000+14.20 грн
21000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M8UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+72.40 грн
100+41.28 грн
500+32.45 грн
1000+27.75 грн
3000+22.44 грн
6000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 18365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+27.39 грн
100+16.15 грн
500+9.87 грн
1000+8.77 грн
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.17 грн
100+18.73 грн
500+13.35 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+9.98 грн
9000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+13.74 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.65 грн
50+30.04 грн
100+19.57 грн
500+13.84 грн
1500+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.53 грн
100+15.71 грн
500+11.16 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.57 грн
500+13.84 грн
1500+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+10.56 грн
9000+10.22 грн
15000+9.52 грн
21000+8.63 грн
30000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
12+27.07 грн
100+15.05 грн
500+11.46 грн
1000+10.29 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7-RDIODES/ZETEX2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
6000+9.52 грн
9000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
14+24.29 грн
100+13.88 грн
500+10.22 грн
1000+9.18 грн
3000+6.21 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+9.57 грн
9000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.99 грн
50+17.80 грн
100+12.73 грн
500+8.30 грн
1500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
6000+5.46 грн
9000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]