Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.55 грн
100+28.54 грн
500+20.73 грн
1000+18.78 грн
2000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750SDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 147502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+32.08 грн
100+22.29 грн
500+16.33 грн
1000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+12.00 грн
9000+11.15 грн
30000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN14M8UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 482282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+62.80 грн
100+43.95 грн
500+33.34 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.65 грн
100+27.78 грн
500+20.08 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 14V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M5UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718
Supplier Device Package: X4-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
6000+16.88 грн
9000+16.12 грн
15000+14.33 грн
21000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M8UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 18365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.44 грн
100+18.91 грн
500+13.47 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+13.71 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
6000+10.07 грн
9000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
6000+10.53 грн
9000+10.20 грн
15000+9.50 грн
21000+8.61 грн
30000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.76 грн
100+15.86 грн
500+11.26 грн
1000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7-RDIODES/ZETEX2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.50 грн
9000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+9.55 грн
9000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
29+14.93 грн
50+11.49 грн
100+10.32 грн
500+8.13 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.21 грн
25+17.54 грн
50+14.35 грн
100+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7110+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 19713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 NABDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-CHANNEL
на замовлення 185744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 340999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
25+27.23 грн
50+22.38 грн
100+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
9000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+7.44 грн
9000+7.07 грн
15000+6.24 грн
21000+6.01 грн
30000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1120+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 1120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 69830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+23.02 грн
100+14.67 грн
500+10.38 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
6000+5.68 грн
9000+3.82 грн
15000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]