Продукція > FGH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH60N60UFDTU-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60N60UFDTU_F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60N60UFDTU_F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60N6S2 | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Sgl 600V N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60N6S2 | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 625 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65 Код товару: 130492
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH60T65SHD | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 349 W | на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ONN | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 Код товару: 166613
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 333 W | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | onsemi | IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75N60SFTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60SFTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 452 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60UF | onsemi | onsemi FSPIGBT TO247 75A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 452 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75N60UFTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 94740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONS/FAI | IGBT 650V 75A 455W TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 Код товару: 172511
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONN | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHD-F155-01 | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHD-F155-01 | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDT | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W | на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS3 Trench IGBT | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHDT-F155-01 | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | onsemi | IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 455W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | TE Connectivity | TE Connectivity | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | onsemi | IGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65 | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SHDT_F155 Код товару: 171976
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | у наявності: 1 шт
|
| |||||||||||||
| FGH75T65SHD_F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD | onsemi | IGBTs FS4TIGBT TO247 75A 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | на замовлення 310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off) Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS4 Trench IGBT | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SQD-F155-01 | на замовлення 30600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | onsemi | IGBTs 650V/75 FAST IGBT | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 375 W | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDT | onsemi | IGBTs 650V 75A FS4 TRENCH IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ONN | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | onsemi | IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 150A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 150A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | onsemi | IGBTs 650V FS4 Trench IGBT | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT_F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

