Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.99 грн
10+336.61 грн
100+268.54 грн
1000+263.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.07 грн
50+267.74 грн
100+247.87 грн
500+214.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.81 грн
10+376.93 грн
100+308.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.32 грн
50+326.19 грн
100+300.64 грн
500+250.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+649.96 грн
5+552.50 грн
10+455.86 грн
50+332.80 грн
100+283.04 грн
250+281.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.31 грн
10+348.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120
Код товару: 190833
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.30 грн
10+415.14 грн
100+334.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.21 грн
10+436.64 грн
100+344.48 грн
500+307.20 грн
800+303.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+283.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.94 грн
10+504.98 грн
25+471.96 грн
50+408.34 грн
100+348.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.93 грн
5+587.94 грн
10+557.34 грн
50+473.40 грн
100+394.88 грн
250+387.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.16 грн
50+302.09 грн
100+297.80 грн
500+248.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.89 грн
10+337.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.02 грн
10+461.25 грн
100+334.12 грн
500+298.23 грн
800+293.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120TRLMOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1193.35 грн
14+1049.14 грн
15+988.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.50 грн
5+855.33 грн
10+711.97 грн
50+527.25 грн
100+451.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+810.77 грн
3+687.21 грн
5+638.18 грн
10+560.90 грн
15+528.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV
Код товару: 220480
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSMOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.00 грн
40+361.76 грн
50+347.98 грн
100+324.17 грн
250+291.04 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+757.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N150HV TRL
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1091.31 грн
10+819.30 грн
100+593.69 грн
500+535.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+716.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.18 грн
10+683.85 грн
100+570.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+718.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.48 грн
10+211.97 грн
100+169.82 грн
500+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.31 грн
50+240.43 грн
100+220.12 грн
500+173.20 грн
1000+162.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N50D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P
Код товару: 131345
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N15TIXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+207.21 грн
50+152.57 грн
100+138.76 грн
250+131.16 грн
500+123.57 грн
1000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSMOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N28PIXYS09+
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
50+320.45 грн
100+294.83 грн
500+234.59 грн
1000+225.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+386.59 грн
50+329.06 грн
100+276.14 грн
250+270.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSMOSFET MOSFET 150 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.74 грн
10+415.21 грн
25+338.96 грн
100+298.92 грн
250+292.70 грн
500+257.50 грн
800+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+249.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.02 грн
5+418.81 грн
10+386.59 грн
50+329.06 грн
100+276.14 грн
250+270.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 19385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
10+400.18 грн
100+294.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.31 грн
10+472.77 грн
25+445.38 грн
50+388.14 грн
100+335.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TTRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]