Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTA34N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 34A; 540W; D2PAK,TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.85 грн
50+195.31 грн
100+184.25 грн
500+162.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.19 грн
58+247.53 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.56 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSMOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.45 грн
50+247.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P
Код товару: 52904
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.56 грн
50+217.45 грн
100+215.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLIXYSMOSFETs IXTA36N30P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.26 грн
50+282.05 грн
100+259.17 грн
500+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P TRLIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.16 грн
10+421.85 грн
50+338.46 грн
100+293.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P. - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263 AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 260nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 260nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
10+405.85 грн
50+324.75 грн
100+280.32 грн
500+237.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.00 грн
10+406.00 грн
50+324.16 грн
100+279.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+213.24 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 820ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.00 грн
50+329.21 грн
100+303.42 грн
500+252.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120
Код товару: 190833
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.11 грн
10+418.98 грн
100+337.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+286.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.41 грн
10+513.86 грн
50+414.60 грн
100+359.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120TRLMOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV
Код товару: 220480
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Gate charge: 38.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+921.22 грн
3+618.92 грн
5+599.63 грн
10+575.31 грн
50+533.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1189.37 грн
13+1114.13 грн
15+1070.57 грн
40+940.68 грн
50+863.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSMOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.66 грн
10+731.08 грн
50+598.57 грн
100+521.80 грн
500+441.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+648.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N150HV TRL
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.